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快科技4月26日消息，AMD CPU處理器銜枚疾進，，顯卡卻依舊強勢不起來，RDNA4架構的RX 8000系列看起來有點“不思進取”。 根據之前曝料，RDNA4架構家族將放棄旗艦競爭，也就是RX 7900系列會後繼無人，新一代只有兩個GPU核心，其中高端的Navi 44可能會成為RX 8800/8700系列，主流的Navi 48可能會成為RX 8600/8500系列。 現在，進一步消息顯示，RDNA4家族也不會引入新一代GDDR7顯存，甚至不會有GDDR6X，而是繼續使用GDDR6。 這當然也是可以理解的，畢竟剛出來的GDDR7肯定高端、昂貴，並不適合降級的RDNA4。 但沒想到的，即便是GDDR6，AMD也趨於保守，RDNA4全線的顯存頻率都只有18GHz。 要知道，RX 7800 XT的顯存頻率都有19.5GHz，RX 7900 XT/XTX更是都有20GHz。 NVIDIA的新一代Blackwell基本確認會首發GDDR7，初期頻率就有28GHz。 那麼，只能期望AMD能帶來真正的甜點和高性價比了。 來源：快科技

今年3月，JEDEC固態技術協會正式發布了JES239 Graphics Double Data Rate 7即GDDR7的標准，可提供兩倍於GDDR6的帶寬，達到了192 GB/s，以滿足未來圖形、遊戲、計算、網絡和人工智慧（AI）應用對高內存帶寬不斷增長的需求。其實早在去年7月，三星就已完成了業界首款GDDR7晶片的開發工作，每個數據I/O接口的速率達到了32Gbps。 近日Rambus宣布，推出GDDR7控制器IP，這是面向AI 2.0的內存解決方案，具有行業領先的接口和安全數字IP產品組合，而且已經上市了。Rambus稱，新款GDDR7控制器IP將在下一波AI推理浪潮中提供伺服器和客戶端所需的突破性內存吞吐量，提供了功能齊全、帶寬效率高的解決方案。 Rambus GDDR7控制器主要特點包括： 支持所有GDDR7鏈路功能，包括PAM3和NRZ信令。 支持各種GDDR7設備尺寸和速率。 針對各種流量場景的高效率和低延遲進行了優化。 靈活的AXI接口支持。 支持低功耗（自刷新、休眠自刷新、動態調頻等）。 可靠性、可用性和可維護性 （RAS） 功能，比如端到端數據路徑奇偶校驗、存儲寄存器的奇偶校驗保護等。 全面的內存測試支持。 提供對第三方PHY的集成支持。 使用最新的GDDR7 VIP和內存供應商內存型號進行驗證。 與現有GDDR6使用的NRZ/PAM2或GDDT6X的PAM4信號編碼機制不同，GDDR7採用的是PAM3信號編碼機制。NRZ/PAM2每周期提供1位的數據傳輸，PAM4每周期提供2位的數據傳輸，而PAM3每兩個周期的數據傳輸為3位。 Rambus表示，新款GDDR7控制器IP適用於尖端AI加速器、圖形和高性能計算（HPC）應用，支持40 Gbps操作，為GDDR7存儲設備提供160 GB/s的吞吐量，比業界最高的吞吐量GDDR6控制器提高了67%，完全滿足新一代 GDDR內存的部署。 ...

快科技4月14日消息，據媒體報導，英偉達計劃在今年第四季度推出RTX 5090及RTX 5080顯卡。 此將有助於英偉達合作夥伴擴大出貨量，尤其是隨著越來越多的玩家向高端升級，這些GPU的推出還將有助於提高GPU的平均售價。 報導表示，RTX 5090價格可能超過2500美元（約合18093元人民幣）。 根據曝光的信息，代號GB202的RTX 5090 CUDA內核數量將增加50%，達到24576個，比RTX 2080內核數量高出8倍以上。 RTX 5090還將首次採用新一代GDDR7顯存，相比目前RTX 4090的GDDR6X提升了52%。 RTX 5090最大的升級之一就是時鍾頻率預計將提高15%提升至2.9GHz，在遊戲場景下可輕松超過3GHz。 此外在光線追蹤方面，英偉達RTX 5090的性能目標是提高2.5倍，計算能力將提高2倍，功耗可能高達520W。 英偉達RTX 4090 來源：快科技

GDDR7顯存標准規范已經公布，NVIDIA、AMD下一代顯卡都有望引入，各方面的准備工作都在基金推進。 快科技3月28日消息，作為JEDEC組織成員，測量儀器廠商Introspect Technology宣布已出貨全球首個商用的GDDR7顯存測試系統“M5512”。 這套系統包含72個高性能針腳，每一個都可以在PAM3模式下達到40Gbps(或者說40GHz)的超高速率，都支持雙向讀寫操作，都具備全套模擬特性。 該系統還集成了設備供電，可以精確控制供電，以及高度靈活的Pinetree環境，可用來測試GDDR7顯存控制器、PHY物理層。 總的來說，這套系統可以全方位測試、檢驗GDDR7顯存的各方面表現。 來源：快科技

前天我們報導了三星展示新一代GDDR7顯存，而作為內存巨頭的SK海力士也隨後展出了自家的GDDR7顯存。SK海力士的GDDR7顯存容量涵蓋16-24Gb，傳輸速度可達40Gbps，比三星所展出的GDDR7顯存快8Gbps，並且可以提供160GB/s的顯存帶寬。 而根據以上信息，不難算出未來SK海力士GDDR7的顯存規格： 除了上述信息外，SK海力士並沒有披露更詳細的信息，像運行電壓、功耗、顯存熱阻等信息都未知，只是籠統地介紹了GDDR7的一些標准特性。不過這次展示出來的顯存傳輸速度比早些時候披露的35.4Gbps快上不少，甚至比三星最快的37Gbps GDDR7顯存還要快3Gpbs，這很有可能會打擊三星在新顯卡供應鏈上的地位。 除了GDDR7顯存以外，SK海力士還展出了服務於移動端的LPDDR5T內存和DDR5 MCR DIMM伺服器內存，後者單條容量可達64GB，傳輸速度8800Mbps，運行電壓為1.1V。 ...

快科技3月20日消息，三星在GTC上展示了專為下一代遊戲GPU設計的GDDR7內存。 首次推出的GDDR7內存模塊密度為16GB，每個模塊容量為2GB。其速度預設為32 Gbps（PAM3），但也可以降至28 Gbps，以提高產量和初始階段的整體性能和成本效益。 據三星表示，GDDR7內存的能效將提高20%，同時工作電壓僅為1.1V，低於標準的1.2V。通過採用更新的封裝材料和優化的電路設計，使得在高速運行時的發熱量降低，GDDR7的熱阻比GDDR6降低了70%。 據爆料顯示，RTX 50系列的旗艦卡，預計將命名為RTX 5090，將首次採用新一代的GDDR7顯存。根據爆料顯示，新卡的性能預計將提升近一倍。 此外，即便搭配256-bit位寬，在37GHz的高頻率下，GDDR7仍能提供1.18TB/的帶寬，超過384-bit 24GHz的GDDR6。這將為遊戲GPU的性能提升提供有力支持。 來源：快科技

JEDEC在本月月初制定了GDDR7顯存的具體標准，在正在舉行的GTC 2024上NVIDIA只帶來了數據中心的產品，並沒有展示為遊戲而准備的Blackwell架構，但三星帶來了為新一代顯卡所准備的GDDR7顯存。 目前來看NVIDIA下一代RTX 50系顯卡極大機率會採用GDDR7顯存，而三星則會成為新顯存的重要供應商之一，hardwareluxx在GTC會場上拍到了三星所展示的GDDR7顯存。GDDR7顯存的頻率將從28~32Gbps起跳，未來計劃會有速度更快的37Gbps版本，但從目前泄露的RTX 50系顯卡信息來看，新顯卡可能無法充分發揮GDDR7的速度，因為顯卡的顯存頻率被設置在28Gbps。 三星現場所展示的GDDR7顯存速度是32Gbps，和目前最快的GDDR6X相比帶寬提升了33%，而GDDR7的額定電壓是1.1V，這點與GDDR6是一樣的，而GDDR6X則需要1.35V，這意味著更高的能耗比，此外三星表示新的顯存熱阻降低了70%，這能降低運行時所產生的熱量，散熱會比GDDR6X更容易。 雖然關於下一代GeForce顯卡的傳聞有許多，但發布時間還是不確定的，NVIDIA可能會在今年某個時間發布RTX 50系列顯卡，屆時我們才能看到新一代GDDR7顯存具體的表現。 ...

快科技3月11日消息，GDDR7顯存標准正式公布後，有關於RTX 50系列顯存配置的消息突然多了起來，先是位寬，現在是速度。 根據曝料專家Kopite7kimi的最新說法，RTX 50系列首發的GDDR7顯存不會達到標准宣稱的32GHz(或者說32Gbps)，而是只有28GHz，慢了八分之一。 當然了，即便如此也要比GDDR6/6X快不少，RTX 4080 SUPER也只能跑到23GHz。 如此一來，RTX 5090如果使用384-bit位寬，實際的顯存帶寬將達到1344GB/，對比RTX 4090要高整整三分之一。 如果實現標准規定的32GHz，那麼帶寬將進一步達到1.5TB/，對比RTX 4090高整整一半。 詭異的是，Kopite7kimi早先曾信誓旦旦地聲稱RTX 50系列會重新使用512-bit位寬，但，而現在他又說自己終究應該是正確的，也就是說512-bit仍有希望。 果真如此，28GHz GDDR7搭配512-bit位寬，帶寬將逼近1.8TB/！ 至於容量，RTX 50系列首批搭配的GDDR7單顆還是2GB，更大容量的3GB趕不上了。 來源：快科技

快科技3月10日消息，NVIDIA有望在今年底或明年初發布下一代RTX 50系列顯卡，大機率首發配備新一代GDDR7顯存，但是顯存位寬和之前的說法不太一樣。 早先有傳聞稱，RTX 50系列可能會回歸消失多年的最多512位顯存，大大提升帶寬。 但是根據曝料專家@kopite7kimi的最新說法，GB20x系列核心的顯存配置和現有AD10x的基本沒什麼區別。 Ada Lovelace架構家族的核心有五種AD102、AD103、AD104、AD106、AD107，位寬分別為384、256、192、128、128-bit。 其中，AD104、AD106相比上代GA104、GA106，位寬都縮水降低了一個檔次。 Blackwell架構家族的核心據說也是五種，分別叫GB202、GB203、GB205、GB206、GB207。 如此說來，它們的位寬配置應該還是384、256、192、128、128-bit。 GDDR7顯存的等效頻率起步就有32GHz，相比於GDDR6X 24GHz提高了三分之一，搭配384-bit位寬就能提供1.5TB/的帶寬，相當富裕了，自然不再需要成本高得多、需要大量電晶體的512-bit。 ，美光稱2025年內就會量產3GB，只是不知道是否來得及配給RTX 5090，如果來得及就能做到36GB！ GB202、GB203、GB205三個中高端核心都有望搭配GDDR7，低端的GB206、GB207幾乎肯定不會上。 來源：快科技

快科技3月8日消息，近日，JEDEC組織正式公布了GDDR7顯存技術規范，各方面指標都有顯著進步，但沒想到在容量密度上停滯不前，只能期待未來了。 GDDR7升級為四通道傳輸架構，每針腳帶寬增至32-48Gbps，相當於GDDR6/6X的整整2-3倍，256-bit位寬下的帶寬最高可達1.5TB/，還支持片上ECC，而電壓從1.35V降低至1.2V，進一步節省功耗。 此外，信號調制從PAM-4降低到PAM-3，減輕負擔，封裝方式改為266 FBGA。 第一批GDDR7顯存的單顆容量將會只有2GB(16Gb)，和如今的GDDR6/6X完全一致，因此首發搭載的NVIDIA RTX 50系列、AMD RX 8000系列，仍然需要相當多的顯存才能達成超大容量。 還好，JEDEC也規劃了更高的容量密度，未來陸續會有3GB、4GB、6GB，甚至是8GB，其中3GB這種反常規容量是首次出現。 但何時量產，就要看三星、美光、SK海力士等巨頭的進度，以及NVIDIA、AMD的採納意願。 值得一提的是，GDDR6時代也曾經設計過1.5GB單顆容量，但從未量產。 GDDR5/6/7通道架構圖 GDDR7片上ECC流程示意圖 GDDR7針腳定義示意圖 來源：快科技

近日，JEDEC固態存儲協會正式發布了JES239 Graphics Double Data Rate 7即GDDR7的標准，可提供兩倍於GDDR6的帶寬，達到了192 GB/s，以滿足未來圖形、遊戲、計算、網絡和人工智慧應用對高內存帶寬不斷增長的需求。 JES239 GDDR7是首款使用脈沖幅度調制(PAM)接口進行高頻操作的JEDEC標准DRAM，採用了PAM3信號編碼機制。相比NRZ/PAM2每周期提供1位的數據傳輸和PAM4每周期提供2位的數據傳輸，PAM3每兩個周期的數據傳輸提升至3位，能效得到較為顯著的提升。 此外，JES239 GDDR7還擁有以下高級功能特性： 具備支持眼圖掩蔽和誤差計數器的核心獨立LFSR(線性反饋移位寄存器)訓練模式，可提高訓練准確性，同時減少訓練時間。 獨立通道數量翻倍，從GDDR6的2個增加至4個。 支持16 Gbit至32 Gbit的存儲容量以及雙通道模式，可使系統容量翻倍。 通過整合最新的數據完整性功能來滿足市場對RAS(可靠性，可用性，可服務性)的需求，包括帶實時報告的晶片上ECC (ODECC)、數據中毒、錯誤檢查和清理以及帶命令阻塞的命令地址奇偶校驗(CAPARBLK)。 JEDEC董事會主席Mian Quddus表示:「JESD239 GDDR7標志著高速存儲器設計的重大進步。隨著向PAM3信號的轉變，存儲器行業有了一條擴展GDDR設備性能的新途徑，有效推動圖形和各種高性能應用的持續發展。」 包括美光、三星、海力士在內的多家存儲廠商都對JEDEC發布的JES239 GDDR7標准表示支持，並積極推動GDDR7顯存的發展計劃。其中，早在去年7月，三星就宣布已完成了業界首款GDDR7晶片的開發工作，每個數據I/O接口的速率達到了32Gbps，並承諾GDDR7在能效方面相比GDDR6會有20%的提升。首款16Gb GDDR7晶片在位寬為384位的情況下，提供了高達1.536 TB/s的帶寬，遠遠超過了目前GeForce RTX 4090的1.008 TB/s。 ...

快科技3月6日消息，今天JEDEC正式宣布GDDR7為下一代顯存標准，AMD和NVIDIA均已加入。 目前，三星和美光都已制定了下一代GDDR7內存模塊的開發計劃。三星的目標是達到32Gbps的速度，而美光的目標也是24Gb+32 Gbps的晶片。美光在其最新的路線圖中也公布了到2026年達到36 Gbps和24 Gb+的內存模塊。 從公布標准看，JESD239 GDDR7的帶寬是GDDR6的兩倍（獨立通道數量增加一倍，增加至4個），每個器件可達192 GB/，支持16 Gbit至32 Gbit密度，包括支持雙通道模式，使系統容量翻倍。 JEDEC表示："JESD239 GDDR7標志著高速內存設計的重大進步。隨著向PAM3信號的轉變，存儲器行業有了一條新的途徑來擴展GDDR器件的性能，並推動圖形和各種高性能應用的不斷發展，其不僅注重帶寬，而且通過整合最新的數據完整性功能滿足 RAS 市場需求的GDDR"。 從目前的情況看，RTX 50系列旗艦卡——大機率叫做RTX 5090——將會首發新一代顯存GDDR7，從爆料看，新卡的性能提升很暴力，比上一代性能提高近一倍。 按照之前三星GDDR7曝光的情況，37GHz的高頻率下，GDDR7即便搭配256-bit位寬也能提供1.18TB/的帶寬，超過384-bit 24GHz GDDR6。 如果搭配384-bit位寬，32GHz GDDR7的帶寬就將有幾乎1.8TB/，相比於RTX 4090領先足足80％，並且差不多是RX 7900 XTX的兩倍。 從目前情況看，AMD對於RTX 5090等英偉達旗艦卡，幾乎不會有直接的還手能力。 來源：快科技

快科技1月30日消息，三星、SK海力士都將在2月20日的ISSCC 2024國際固態電路大會上，首次展示下一代高速GDDR7顯存，但規格略有不同。 GDDR7顯存不僅會按慣例繼續提升速度，還會改進功耗，為此引入PAM3、NRZ信號調制機制，能在和GDDR6/6X差不多的功耗上帶來更高性能。 三星GDDR7將達到驚人的37GHz等效頻率，SK海力士的則是35.4GHz，對比當下美光GDDR6X 19-24GHz有著質的飛躍。 37GHz的高頻率下，GDDR7即便搭配256-bit位寬也能提供1.18TB/的帶寬，超過384-bit 24GHz GDDR6。 如果搭配384-bit位寬，32GHz GDDR7的帶寬就將有幾乎1.8TB/，相比於RTX 4090領先足足80％，並且差不多是RX 7900 XTX的兩倍。 美光的GDDR7有望在今年上半年搶先推出，三星、SK海力士沒有公布具體時間，但也應該在今年內。 顯卡方面，NVIDIA Blackwell RTX 50系列有非常大的希望首發採納GDDR7。 AMD RDNA4 RX 8000系列還不好說，暫時放棄旗艦卡，而出於成本考慮，可能不會急著上GDDR7。 來源：快科技

昨天我們報導過三星會在2月18日至22日在美國舊金山舉行的ISSCC 2024上介紹其最新的GDDR7顯存技術，速率達到了37Gb/s，為16Gbit模塊，而另一家韓國半導體巨頭SK海力士自然也不會錯過在這次大會上展示肌肉。 SK海力士將會成為繼三星之後第二家展示GDDR7顯存晶片的公司，它們家產品的速度是35.4Gbps，比三星的慢，不過存儲密度是相同的，都是單顆16Gbit。與三星的一樣，SK海力士的GDDR7同樣採用PAM3信號編碼機制，擁有專門的低功耗設計，不知道它是否類似三星的四種低時鍾狀態。 GDDR7是給下一代遊戲顯卡所准備的，而AI HPC領域則需要HBM3E，海力士會在會議上展示他們最新的16層堆棧48GB HBM3E晶片，新的設計理論上能讓單顆晶片速度達到1280GB/s，採用四顆HBM3E就能達到192GB容量和5.12TB/s的超高帶寬。新的HBM3E採用全新的全功能TSV(矽通孔)設計和6相讀書節隊列選通方案，以實現矽通孔面積優化。 最後SK海力士還為移動設備帶來了LPDDR5T內存，頻率高達10533MHz，內存電壓1.05V，如此高的數據速度得益於獨家的寄生電容降低技術和電壓偏移校準接收器技術，新的高頻LPDDR5T內存能為智慧型手機、平板電腦和輕薄筆記本提供更好的性能。 ...

ISSCC 2024（IEEE 國際固態電路會議）將於2月18日至22日在美國舊金山舉行，不少廠商會選擇在這次大會上展示最新的半導體製造技術。其中三星將介紹其最新的GDDR7內存技術，速率達到了37Gb/s，為16Gb模塊。 早在去年7月，三星就宣布已完成了業界首款GDDR7晶片的開發工作，每個數據I/O接口的速率達到了32Gbps，並承諾GDDR7在能效方面相比GDDR6會有20%的提升。首款16Gb GDDR7晶片在位寬為384位的情況下，提供了高達1.536 TB/s的帶寬，遠遠超過了目前GeForce RTX 4090的1.008 TB/s。 與現有GDDR6使用的NRZ/PAM2或GDDT6X的PAM4信號編碼機制不同，GDDR7採用的是PAM3信號編碼機制。NRZ/PAM2每周期提供1位的數據傳輸，PAM4每周期提供2位的數據傳輸，而PAM3每兩個周期的數據傳輸為3位。由於GDDR7使用的PAM3信號編碼機制更加復雜，控制器需要更強大的功能，消耗不一定比GDDR6少。 為此三星引入了具有高導熱性的環氧模塑化合物（EMC），讓GDDR7封裝的熱阻降低了70%，以確保有源組件不會過熱，在高速運轉時仍有穩定表現。三星在去年末表示，在過去的一年裡不斷改善GDDR7的動態功耗，且通過額外的時鍾控制，已經將待機功耗降低至GDDR6的一半水平。 ...

RTX 40 SUPER系列將在明年初的CES 2025上登場亮相，而下一代的RTX 50系列也有了新的說法。 經常曝料的推友kopite7kimi給出的消息確認，RTX 50系列旗艦卡——大機率叫做RTX 5090——將會首發新一代顯存GDDR7，和之前預測相符。 GDDR7第一批產品單Die最大容量為24Gb(3GB)，RTX 5090至少也會有24GB，甚至加到36GB。 速率最高32Gbps，搭配256-bit位寬的帶寬就有1TB/，512-bit下自然就是2TB/。 但是很可惜，RTX 5090應該不會像之前傳聞的那樣重新引入512-bit位寬，而是繼續堅持384-bit，但即便如此顯存帶寬也有1.5TB/，相比於RTX 4090增加足足一半。 至於原因也很好理解：一方面，512-bit位寬需要消耗大量電晶體和內核面積，功耗和發熱也會偏高；另一方面，NVIDIA現在走的是重緩存、輕顯存的路線，更沒必要堆位寬。 kopite7kimi還披露，RTX 5090/5080公版的設計可能會和不斷泄露的RTX 4090 Ti有些類似，也就是龐大四插槽體積，PCB翻轉90度與主板平行。 RTX 50系列大機率要到2025年才會發布，但也不排除在2024年底就有GB202核心的RTX 5090。 GB203核心會精簡到256-bit顯存位寬，GB204、GB205繼續降級。 來源：快科技

快科技10月22日消息，三星在日前舉辦“2023年三星內存技術日”上，再次更新了關於其GDDR7顯存的技術信息。 自去年10月份三星正式公布GDDR7顯存以來，就一直受到了廣泛關注，如今三星帶來了關於該技術更多的細節和改進。 據三星官方介紹，在過去的一年裡，通過精心研發設計，在改善GDDR7顯存的動態功耗方面取得了顯著的成果。 通過新的額外時鍾控制，GDDR7顯存的待機功耗較之前的GDDR6降低了50%，進一步降低了設備的整體功耗。 在性能上，三星表示，與目前最快的24Gbps GDDR6 DRAM相比，GDDR7顯存的性能提升了40%、能效提升了20%。 在速度方面，三星首批GDDR7產品的額定傳輸速度最高32Gbps，比GDDR6顯存提升了33%，在384位總線接口時，實現了高達1.5TB/的帶寬。 此外，三星還強調GDDR7顯存將採用專門針對高速工作負載進行優化的技術，使得內存能夠在高強度工作下穩定運行。 同時還將提供低工作電壓選項，專為筆記本電腦等需要謹慎用電的設備而設計。 除了36Gbps的GDDR7顯存外，三星還展示了速度更高的顯存樣品，但目前還不清楚後期能都實現商業化。 來源：快科技

Blackwell RTX 50系列還要兩年左右才會正式登場，但傳聞已經開始出現了，當然開發工作現在還處於非常早期的階段，各種說法都會有甚至互相矛盾，大家看看就好了。 曝料高手kopite7kimi的說法指出，，但是核心數量不會增加太多，同時高性能計算版本GB100將會首次引入MCM多晶片整合封裝，GB20x系列遊戲卡核心則繼續單晶片。 還有說法稱，Blackwell架構的旗艦顯卡(按慣例叫做RTX 5090)，將會實現50％的規模提升、52％的顯存帶寬提升、78％的緩存提升、15％的頻率提升，綜合性能可提升多達1.7倍！ 所謂規模提升不清楚具體指的是什麼，按理說應該是CUDA核心數量，但是和之前的曝料矛盾。 顯存帶寬提升52％，那必然要上下一代GDDR7。 RTX 4090 GDDR6顯存位寬是384-bit，頻率是21GHz，對應帶寬約1TB/，提升一半就是1.5TB/，位寬不變就需要32GHz的超高頻率。 也有說法稱位寬會增加到512-bit，顯存頻率就只需要28GHz，但這種可能性比較小。 緩存增加72％，那就是從現在的72MB變成128MB，而大緩存對高顯存位寬的需求更低，512-bit更不可能了。 頻率提升15％，那就是2.9GHz左右，實際肯定能超過3GHz，但是頻率肯定是最後階段才確定的。 來源：快科技

隨著全球遊戲市場需求增加，三星和SK海力士都在加快對圖形專用高性能DRAM的開發工作。市場調查研究公司IGI的最新報告顯示，用於GPU的GDDR市場預計會從2018年的32億美元增長至2030年的48億美元，期間平均每年的增長率為7.6%。其中像GDDR6這樣的高性能GDDR類產品，預計每年的增長率將超過兩位數。 GDDR主要用於GPU，雖然性能不如HBM，不過成本會低許多，後者現在更多地用作人工智慧（AI）伺服器上面。據Business Korea報導，美光現在在GDDR方面處於領先位置，但三星和SK海力士都瞄準了這一領域，加緊GDDR7的開發，搶奪高端遊戲顯卡的市場。 英偉達的GeForce遊戲顯卡使用的GDDR主要由美光提供，而三星希望先利用HBM切入，然後在下一代GDDR產品上成為供應商。三星在上個月宣布已完成了業界首款GDDR7晶片的開發工作，每個數據I/O接口的速率達到了32Gbps，承諾在能效方面相比GDDR6會有20%的提升，為此還引入了幾項新的技術。據了解，三星已經向英偉達提供了樣品，用於驗證下一代系統。雖然SK海力士沒有明確其GDDR7的時間表，不過有消息稱，會在年內完成開發工作。 相比之下，美光的GDDR7要慢一些。今年6月在2023財年第三財季的財報電話會議上，美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra已確認，美光會選擇在1ß節點上推出新款GDDR7產品，時間大概是明年的上半年。從時間上來看，美光要落後於三星和SK海力士，因此英偉達可能會優先考慮兩家韓國存儲器巨頭的GDDR7產品。 ...

快科技8月28日消息，隨著GPU性能的不斷提升，以及AI運算的普及，GPU的顯存也愈發重要，當前的GDDR6顯存實現了TB/級別的帶寬，但這還不夠，三星、SK海力士及美光三大巨頭明年就要推GDDR7顯存。 技術上，GDDR7顯存採用了脈幅調制（PAM3）信號方式，取代前幾代產品的不歸零（NRZ）信號方式，從而實現性能大幅提升。 在相同信號周期內，PAM3信號方式可比NRZ信號方式多傳輸50%的數據。 另外，GDDR7的設計採用了適合高速運行的節能技術，相比GDDR6能效提高了20%。 得益於此，三星推出的GDDR7顯存頻率可達32Gbps，帶寬可達1.5TB/，相比GDDR6提升了至少40%以上。 開發進度方面，三星7月份已經推出了GDDR7顯存樣品，並向NVIDIA出樣，SK海力士預計今年內完成開發，美光之前表示會在2024年推出GDDR7顯存。 至於最終哪款顯卡首發，不出意外的話還是NVIDIA首發，但是2024年RTX 50系列是沒可能了，要拖到2025年才能問世。 來源：快科技

快科技7月27日消息，隨著製程工藝的進步，DRAM內存晶片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題，解決辦法就是上EUV光刻機，但是設備實在太貴，現在還要榨乾DUV工藝最後一滴，DDR5內存有望實現單條1TB。 作為第一家推出24Gb核心DDR5的內存公司，美光日前又創造了一個新紀錄——推出了32Gb核心的DDR5內存顆粒，使用的是比前者1α工藝更先進的1β工藝，這也是美光最後的非EUV工藝了，再往後不想上EUV也沒招了。 美光沒有透露32Gb核心內存顆粒的具體速度，但是這種內存最大的優勢就是可以堆棧出單條1TB的內存條，只需要32個8-Hi堆棧即可，現在的24Gb核心還做不到這麼大容量。 當然，美光實際上並不會推出這麼大的內存條，明年量產32Gb核心之後，首先是單條128GB，還有192GB、256GB，而512GB、1TB的還不在路線圖上，2026年前都沒戲。 另外，在HBM這條路線上，美光剛推出了HBM3 Gen2（這都什麼命名方式，跟驍龍學的），做到了24GB容量，帶寬1.2TB/。 後續還有36GB容量的，2026年之後則是下一代HBM（HBM4？），容量36GB到64GB，帶寬1.5到2TB/以上了。 顯存GDDR路線上，2025年會推出GDDR7，頻率32Gbps，核心容量16-24Gb，帶寬128GB/以上。 來源：快科技

三星宣布，已經完成了業界首款GDDR7晶片的開發工作，每個數據I/O接口的速率達到了32Gbps。三星承諾GDDR7在能效方面相比GDDR6會有20%的提升，為此引入了幾項新的技術。 與現有GDDR6使用的NRZ/PAM2或GDDT6X的PAM4信號編碼機制不同，GDDR7採用的是PAM3信號編碼機制。NRZ/PAM2每周期提供1位的數據傳輸，PAM4每周期提供2位的數據傳輸，而PAM3每兩個周期的數據傳輸為3位。首款16Gb GDDR7晶片在位寬為384位的情況下，提供了高達1.536 TB/s的帶寬，遠遠超過了目前GeForce RTX 4090的1.008 TB/s。 由於GDDR7使用的PAM3信號編碼機制更加復雜，控制器需要更強大的功能，消耗不一定比GDDR6少。為此三星引入了具有高導熱性的環氧模塑化合物（EMC），讓GDDR7封裝的熱阻降低了70%，以確保有源組件不會過熱，在高速運轉時仍有穩定表現。 三星沒有透露什麼時候開始量產GDDR7，也沒有說明採用的是哪一種工藝技術。傳聞AMD下一代基於RDNA 4架構的Radeon RX 8000系列會支持GDDR7，這意味著最快也要等到明年。三星表示，GDDR7也能用於筆記本電腦等設備，可提供低工作電壓選項，不過沒有透露會有怎麼樣的性能。 今年內GDDR7將首先安裝在三星主要客戶的下一代系統中進行驗證，預計未來的人工智慧、高性能計算和汽車應用也將用到GDDR7。 ...

隨著顯卡性能的不斷提升，GDDR顯存性能也要跟上，這兩代的顯卡使用的是GDDR6/6X顯存，速率上到了24Gbps，再往後就要等GDDR7了，速率有望達到36Gbps，RTX 50顯卡問世的時候有望首發使用。 GDDR7顯存現在還沒有正式的JEDEC標準，作為一哥的三星去年透露過一些信息，GDDR7會使用全新的PAM3信號技術，放棄GDDR6/6X正在用的PAM4信號，它採用三級脈沖調制，每周期可傳輸1.5位數據。 GDDR7是第二個採用PAM3信號技術的協議，之前的USB 4v2（80Gbps速率）是第一個使用PAM3信號機制的，都是大幅提高了數據速率，GDDR7有望達到36Gbps的速度，比現在提升50%以上。 這樣的速率搭配256bit位寬就有1.1TB/的帶寬，搭配384bit位寬可達1.7TB/，哪怕是閹割到128bit位寬也有576GB/的帶寬，要知道現在RTX 4090也不過是384bit位寬、1TB/帶寬。 GDDR7顯存目前還在開發中，EDA巨頭Cadence現在宣布推出首個GDDR7 VIP驗證方案，支持PAM3信號機制，提供二進位總線、強度建模、實數建模三種方案，開發者可以用它來驗證是否符合GDDR7標準規范。 至於GDDR7顯存什麼時候能上市，應該要等到AMD及NVIDIA下一代顯卡，也就是RX 8000、RTX 50系列，這些顯卡明年下半年才有可能升級，因此GDDR7首發至少要等一年半之後。 來源：快科技

此前三星在「Samsung Foundry Forum 2022」上，公布了未來的技術路線圖。其中三星確認了GDDR7正在開發當中，稱其為未來GPU的助推器，速率達到了36 Gbps，在現有18 Gbps的GDDR6基礎上翻倍。近日三星詳細介紹了GDDR7的規格，確認將使用PAM3信號編碼機制。 現有的GDDR6使用了NRZ/PAM2信號編碼機制，速率從14 Gbps起步，最快已達到24 Gbps。由於最初投產的時候，GDDR6速率無法滿足英偉達對於Ampere架構GPU的需求，於是英偉達選擇和美光合作，共同開發了使用PAM4信號編碼機制的GDDR6X，提供的速率在18 Gbps到23 Gbps之間，相比JEDEC標準GDDR6領先了幾個季度。 相比於NRZ/PAM2每周期提供1位的數據傳輸，以及PAM4每周期提供2位的數據傳輸，PAM3每周期的數據傳輸為3位，有了進一步的提升。三星稱，GDDR7的效率提高了25%，能效也提高了25%。除了應用於GDDR7，PAM3也用於即將推出的Thunderbolt 4和USB4 v2.0規范，實現了最高80 Gbps（10GB/s）的數據傳輸速率。 就如GDDR6對比GDDR5，GDDR7相比GDDR6的速率翻倍，在256位總線和36 Gbps速率下，GDDR7的帶寬將達到1152 GB/s，128位和384位總線在相同速率下，帶寬分別為576 GB/s和1728 GB/s。這意味著未來的GPU若支持GDDR7，可以輕松突破1 TB/s的大關。 ...

顯卡產品下一波的性能提升，除了仰仗工藝製程升級、GPU核心架構疊代、AI/圖形軟體技術提升之外，顯存帶來的帶寬變化顯然也很重要。 日前，三星介紹了GDDR7顯存的最新進展。 據悉，GDDR7顯存將採用PAM3信令，該技術此前還被應用到了USB4、雷電4等傳輸協議中。 相較於GDDR6時代的NRZ/PAM2信令（1bit）或者GDDR6X的PAM4信令（2bits），PAM3更具效率，每周期可實現3bits數據傳輸，傳輸效率提升25%、能效提升25%。 由此，GDDR7顯存的針腳帶寬將提升到36Gbps，比GDDR6翻番，也大大突破了GDDR6X的24Gbps極值。 以主流的256bit位寬為例，GDDR7顯存的總帶寬可達1152GB/。即便是入門的128bit位寬，也能有576GB/，高端卡上384bit後，那麼總帶寬將超1.7TB/，4K/8K遊戲的體驗無疑將更從容。 要知道，RX 6900 XT配的16Gbps GDDR6顯存，即便是256bit位寬，總帶寬也不過512GB/。 來源：快科技

當前，顯卡的主流顯存規格是GDDR6和GDDR6X，少數專業顯卡還會使用HBM顯存。 不過，三星方面表示，已經投產新一代GDDR7顯存，速度高達36Gbps。 考慮到GDDR6最大到18Gbps，GDDR7可以在相同位寬條件下提供兩倍的帶寬，以384bit為例，總帶寬可以到1.728TB/，比RTX 4090的1TB/還要多出72%。 三星稱，GDDR7顯存將用於數據中心、高性能運算以及遊戲產品，顯然，有了它，更高解析度下的遊戲體驗將更加流暢。 稍稍遺憾的是，GDDR7顯存何時商用還沒有明確時間表。至少這一代RTX 40系和AMD RX 7000都鐵定無緣了。 來源：快科技

目前DDR5才隨Intel的12代酷睿Alder Lake剛上市沒多久，但三星已經在表示他們已經在開發下一代的DDR6記憶體了，在一年一代的技術日活動上，三星透露了DDR6、GDDR6+、GDDR7和HBM3等下一代記憶體技術的信息。 Computerbase已經從三星那里獲得了新一代記憶體的各種信息，目前DDR5還處於生命周期的初期，頻率普遍不是很高，不過隨著時間的推移頻率是會慢慢上去的，三星認為在不久的將來DDR5的頻率就會提升到JEDEC標準的6400Mbps，而超頻條的頻率可達到8400Mbps，其實現在就已經有廠商把DDR5記憶體的頻率提升到7000Mbps了。 而下一代的DDR6已經在早期開發階段，未來用於取代DDR5，當然預計至少在2025到2026年後才會推出，DDR4記憶體至少用了6年，而DDR5到DDR6估計也會差不多的時間。 三星認為未來的DDR6記憶體的JEDEC標準會達到12800Mbps，而超頻條的頻率可能會到17000Mbps，甚至可能會突破20000Mbps，目前DDR6的標準各家目前還在一同討論中，預計在2024年完成。每個模組DDR6記憶體的通道數和現在的DDR5相比再次翻倍，變成16bit*4，bank數量增加到最多64個。 顯存方面，三星透露了速度更快的GDDR6+計劃，用於取代現有的GDDR6，三星計劃在本月採用1znm開始試產GDDR6+，它的頻率能到24Gbps，並會成為下一代GPU的配置，如果真能達到此頻率的話擁有320/352/384bit顯存位寬的顯卡顯存帶寬就能超過1TB/s，而256bit的GPU的帶寬也能到768GB/s。 至於新一代的GDDR7顯存，預計可提供高達32Gbps的傳輸速度，並且會支持實時錯誤保護技術，但三星並沒有對其進行詳細說明。而HBM3記憶體，三星計劃會在2022年第二季度開始投產，並表示速度會是800GB/s，將會用在未來的HPC和數據中心GPU/CPU系統中。 ...