快科技2月8日消息，，但是台積電一直不為所動，可能要到1nm工藝時代才會跟進。
Intel計劃將高NA EUV光刻機用於Intel 18A後的製程節點，也就是超過1.8nm，時間大概在2026-2027年。
Intel此前公布的路線圖上，18A之後已經安排了三個新的製程節點，但尚未具體命名。
基辛格透露，預計命名為15A，將在德國工廠量產。
台積電對於高NA EUV光刻機引入計劃則一直守口如瓶，有多個消息來源稱台積電還在觀望評估，目前計劃要等到1nm工藝節點才會上馬，而時間要等到2030年左右了。
台積電目前正在沖刺2nm工藝，預計2025-2027年間量產，單晶片可集成超過1000億個電晶體，單個封裝可超5000億個。
然後是1.4nm、1nm，其中後者計劃2030年左右量產，將在單顆晶片內集成超過2000億個電晶體，單個封裝內則超過1萬億個，相比N2工藝翻一倍。
有趣的是，Intel也計劃在2030年做到單個封裝1萬億個電晶體，可謂針鋒相對。
來源：快科技
