近日，SK海力士宣布與台積電（TSMC）簽署了諒解備忘錄（MOU），雙方就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術密切合作。SK海力士計劃與台積電合作開發第六代HBM產品，也就是HBM4，預計在2026年投產。
據The Elec報導，SK海力士打算選擇台積電的7nm工藝，用於生產HBM4所需要的基礎裸片（Base Die），這是雙方針對搭載於HBM封裝內最底層的基礎裸片優化工作的一部分。HBM是將多個DRAM裸片（Core Die）堆疊在基礎裸片上，並通過矽通孔（TSV）技術進行垂直連接而成。基礎裸片也連接至GPU，起著對HBM進行控制的作用。
SK海力士包括HBM3E（第五代HBM產品）在內的HBM產品，都是基於自身製程工藝製造了基礎裸片，但HBM4選擇台積電的先進邏輯工藝，以便增加更多的功能。雙方還計劃將SK海力士的HBM產品和台積電的CoWoS技術融合，做進一步的協力優化工作，以應相關客戶對HBM產品的要求。
此外，SK海力士還計劃生產在性能和功效等方面更廣的滿足客戶需求的定製化（Customized）HBM產品。根據SK海力士的安排，2026年將實現HBM4的批量生產。
來源：超能網
