本周，ASML在最新的聲明中指出，這些新的出口管制措施側重於先進的晶片製造技術，包括最先進的沉積設備和浸潤式光刻系統。
ASML強調，新的出口管制措施並不針對所有浸潤式光刻系統，而只涉及所謂“最先進”的浸潤式光刻系統。截至目前企業尚未收到有關“最先進”的確切定義的信息，公司將其解讀為在資本市場日會議上定義的“關鍵的浸潤式光刻系統”，即TWINSCANNXT：2000i及後續推出的浸潤式光刻系統。
所謂浸沒式光刻機，屬於193nm（光源）光刻機（分為乾式和浸沒式），可以被用於16nm至7nm先進位程晶片的製造，但是目前也有被業界廣泛應用在45nm及以下的成熟製程當中。
ASML公司官網信息顯示，該公司主流的DUV光刻機產品共有三款設備：TWINSCAN NXT：1980Di，TWINSCAN NXT：2000i和TWINSCAN NXT：2050i，其中2000i和2050i兩款是公司在聲明所指的產品。
ASML官網上關於這一台TWINSCAN NXT:1980Di的介紹，其中在解析度方面，寫到是大於等於38nm（可以支持到7nm左右），而這是指一次曝光的解析度，事實上光刻機是可以進行多次曝光的。
理論上NXT:1980Di依然可以達到7nm，只是步驟更為復雜，成本更高，良率可能也會有損失，晶圓廠用這一台光刻機，大多是生產14nm及以上工藝的晶片，很少去生產14nm以下的工藝，因為良率低，成本高，沒什麼競爭力。
ASML指出，先進程度相對較低的浸潤式光刻系統已能很好滿足成熟製程為主的客戶的需求，並稱該公司A長期展望的基礎是全球長期需求和技術趨勢，而不是對具體地域的預期。自2019年以來，ASML的EUV光刻系統已經受到限制。
ASML預計2023年在中國的銷售額將保持在22億歐元左右（約合人民幣超162億元），其正在加快拓展在中國的業務和銷售。
來源：快科技
