快科技8月9日消息，天眼查顯示，近日華為技術有限公司新增多條專利信息，其中一條發明專利名稱為“晶片堆疊結構及其形成方法、晶片封裝結構、電子設備”，公開號為CN116504752A。
該專利涉及的技術領域為晶片技術領域，尤其涉及一種晶片堆疊結構及其形成方法、晶片封裝結構、電子設備，該技術將被用於簡化晶片堆疊結構制備工藝。
該專利也是再次引起了一些用戶的討論，什麼華為可以將兩塊14nm製程晶片堆疊在一起，實現與7nm製程晶片相似的性能和功耗，而類似的說法華為官方已經多次證實是假消息。
需要注意的是，通過晶片疊加工藝讓兩塊14nm晶片達到7nm水平說法本身就是錯誤。晶片堆疊技術方案難題包含了，熱管理、電氣互聯、封裝和測試、製造技術等等，想要完成這些並非易事。
此外，兩款14nm晶片疊加一起，還要功耗跟7nm相當，暫且說可以組合，這樣實現後也是通過降頻。要知道，14nm晶片達到7nm的性能水平就必須功耗翻倍，同時還得進一步擴大晶片面積才能塞下更多的電晶體，這顯然脫離了晶片發展規律。
再來說功耗，7nm晶片功耗基本在7W左右，14nm晶片想要保持跟前者的性能，然後功耗就至少要翻一倍，如果兩款疊加，那……
來源：快科技
