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索尼宣布，下一個主要的PS5系統更新，包括M.2 SSD存儲擴展支持在內的改進將在明天發布。下一代遊戲機的新系統更新的到來是通過官方的PlayStationBlog網誌剛剛宣布的，新的PS5系統軟體更新版本號為21.01-03.21.00。 除了提供對備受期待的M.2存儲擴展的支持，新的系統更新將提供3D音頻電視揚聲器的支持，以及用戶體驗的增強，包括控制中心的定製和增強的Game Base，使界面的個性化更容易。 內置電視揚聲器的3D音頻支持 PS5九月更新增加了對玩家通過其內置電視揚聲器體驗3D音頻的支持。一旦在聲音菜單中啟用，該功能將標準的雙聲道電視揚聲器音頻轉化為3D聲音，提高了遊戲的沉浸感。*玩家可以使用DualSense無線控制器上的麥克風測量他們房間的聲學效果，以應用為他們房間優化的3D音頻設置。 通過PS5上的兼容耳機的3D音頻一直是收到粉絲和開發者關注的熱門功能。除了自發布以來一直提供的耳機支持之外，現在玩家可以直接通過他們的內置電視揚聲器實現這一功能。 M.2 SSD存儲擴展 從明天開始，PS5玩家可以用M.2固態硬碟擴展他們的存儲容量，這是一種可以安裝在PS5遊戲機或PS5數字版的高速固態硬碟。 一旦安裝在PS5或PS5數字版主機中，M.2固態硬碟存儲可以用來下載、復制和啟動PS5和PS4遊戲以及媒體應用程式。用戶可以直接從M.2 SSD存儲中播放PS5和PS4遊戲，並在存儲選項之間自由移動遊戲。 請務必查看PlayStation官方Blog網誌以了解更多細節，明天新的PS5固件更新一經推出，我們將立即為您更新。 來源：cnBeta

微網消息 9月14日，長江存儲營運長程為華在2021中國快閃記憶體市場峰會上發表了主題為《創新協作共築存儲生態》的精彩演講。他在演講中提到，雖然全球智慧型手機出貨量趨於穩定，但5G手機的市場滲透率卻快速提升，由此也帶動了嵌入式存儲市場規模快速增長。 從全球市場綜合發展來看，企業級SSD、電腦、智能手機將驅動SSD市場不斷增長，預計到2024年，SSD的需求會占據快閃記憶體總量的57.7%，智慧型手機對存儲器的需求占到27%。 為了把握市場機遇，長江存儲攜手生態夥伴共同打造更低成本、更高性能且多元化的存儲解決方案，目前，長江存儲64層快閃記憶體顆粒出貨超3億顆。 值得關注的是，長江存儲在去年4月宣布推出128層QLC 3D NAND 快閃記憶體，以及128層512Gb TLC（3 bit/cell）快閃記憶體。程為華在演講中透露，128層QLC已經准備量產，TLC良率做到相當高的水準，產品也已經進入高端智慧型手機和企業級的應用。 上述提到的兩款產品均採用長存自主研發的Xtacking® 2.0版本，其中，X2-6070是業內首款128層QLC規格的3D NAND快閃記憶體，擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND快閃記憶體晶片容量。 程為華介紹到，長江存儲的Xtacking技術架構進入3.0階段，產能到明年年中將滿載。目前，長江存儲的第三代產品X2-9060已經獲得20多種控制器型號的支持，60多種存儲產品選擇該產品開案設計。 據了解，Xtacking創新架構在兩片晶圓上完成獨立的製造工藝，通過金屬互聯通道VIAs進行兩片晶圓的鍵合。該架構具有高性能、高密度和高品質的特性，實現更高的I/O速度，更大的吞吐量，更低功耗，以及更小的晶片面積，以嚴苛的檢測標準和縝密的驗證體系獲得高可靠品質。 程為華最後表示，「長江存儲正通過與產業鏈緊密協作，以創新驅動業務發展，致力於打造一個開放公平、全球化、多元化的創新平台。在共同研究、構建基礎的同時，也保持開放、敢於分享，與產業鏈的夥伴共同培養和挖掘市場需求。長江存儲歡迎與全球合作夥伴攜手，共同為產業鏈創造價值。」（ 來源：cnBeta

即將發布的英特爾Alder Lake將是首個支持DDR5記憶體的消費級處理器，在過去的幾個月里，可以看到不少記憶體廠商都非常積極地開發DDR5記憶體，相信第12代酷睿系列處理器推出後，DDR5記憶體上市速度也會比較快。 近日，閒魚用戶@順火暖哈哈泄露了Alder Lake平台首個DDR5記憶體測試數據。該測試平台基於早期工程樣品/UEFI固件版本，據聞使用的是酷睿i5-12600K處理器（ES版），搭配的是DDR5-6400記憶體，時序為40-40-40-85，讀取速度超過90 GB/s，但延遲也高達92.5 ns。 此外，還公布了該款處理器在CPU-Z里的單核測試成績，為785.6分。 相比今年三月份，江波龍電子（Longsys）展示全新DDR5記憶體模組產品的時候也曾公開了DDR5記憶體的測試成績。當時使用了英特爾的Alder Lake-S ADP-S CRB開發板，搭配32GB的DDR5-4800記憶體模組，顯然這次泄露的測試里記憶體頻率更高一些。 江波龍電子在Windows 10 Pro作業系統里分別通過魯大師和AIDA64兩個軟體展示了DDR5的測試數據，並與32GB DDR4-3200記憶體（CL22）的測試結果作為對比。平台的記憶體的讀取速度為35844MB/s，寫入速度32613MB/s，相比DDR4記憶體各項測試項目快了12-36%左右。不過延遲達到了112.1ns，比起DDR4記憶體幾乎是翻倍。而在魯大師的測試中，測試平台的總分是557901分，記憶體單項得分是193864分。 目前DDR5記憶體看起來仍然不夠給力，通常記憶體進行疊代的時候，新舊兩種記憶體會有重疊的頻率。一般最快的上一代記憶體，表現會優於初期的新一代記憶體，在逐漸成熟以後，新一代記憶體才會有更好的表現。 ...

希捷在今年6月份發布了FireCuda 530系列固態硬碟，支持PCIe Gen4標準的M.2插槽，以及NVMe 1.4標準，提供了500GB、1TB、2TB和4TB，共四種存儲容量。希捷FireCuda 530採用的是群聯PS5018-E18主控晶片，以及美光的176層3D TLC快閃記憶體（最新的B47R NAND），並加入了散熱鋁片，確保設備長時間穩定工作。與許多同類產品提供的散熱片不太一樣，FireCuda 530使用的散熱片是平整而且相對纖薄的款式。希捷提供了無/有散熱片的版本，用戶可以在購買的時候選擇。 近日EK與希捷合作推出了FireCuda 530使用的散熱片，以獲得更好的散熱效果。EK採用高級鋁材製成了薄型散熱片，表面經過了精細的陽極氧化處理，以最大限度地提高散熱效率。這種設計有助於降低運行時候的溫度，讓SSD可以更長時間保持在峰值性能。 希捷表示該款散熱片可以與PlayStation 5遊戲主機完美配合，性能和規格都符合PlayStation 5遊戲主機的要求，與其他同類產品相比更具有優勢。目前帶EK款散熱片的1TB版本已經在EK網上商城上架，2TB版本也會很快上市，1TB和2TB版本的含稅價格（MSRP）分別為305歐元和640歐元。 ...

富士膠片在2019年推出了LTO Ultrium 8系列磁帶，採用了BaFe（鋇鐵氧體磁性材料），及富士膠片專利的納米超薄塗層技術，可以存儲12TB的原生數據或30TB的壓縮數據，速度可達750MB/s（未壓縮的時候是360MB/s），這種第八代開放線性磁帶（LTO）在數據中心已得到了廣泛應用。 近日，富士膠片宣布推出LTO Ultrium 9系列磁帶，這是第九代開放線性磁帶，通過應用新的專利技術提供18TB的原生數據或45TB的壓縮數據，相比LTO Ultrium 8系列磁帶提高了50%，標志著大數據備份和歸檔的新標準。其通過富士膠片獨有的NANOCUBIC技術，將鋇鐵氧體磁性材料配置成細顆粒，均勻分布在磁帶表面，行成光滑薄磁性層，並提供了1000 MB/s的高速傳輸速度（未壓縮的時候是400MB/s），相比上一代產品的750 MB/s（未壓縮的時候是360MB/s）有了進一步提高。 富士膠片負責人武冨博信表示，LTO Ultrium 9系列磁帶將滿足全球對數據存儲、網絡安全和減少氣候影響等方面不斷增長的需求。隨著5G以及4K/8K視頻的推廣、IoT·DX的發展、以及AI大數據分析的普及，全球數據量劇增，但是生成的數據會隨著時間流逝、訪問頻率降低而成為冷數據，這部分數據占了總量的80%以上。相比於傳統硬碟，磁帶成本低，而且可以安全、可靠地長時間大容量保持數據，由於平常保持的時候不需要通電，在使用周期內可以大幅度減少二氧化碳排放，是一種綠色環保的產品。 ...

十銓科技（Team Group）旗下創作者品牌T-CREATE及電競品牌T-FORCE推出了兩款專為創作者及電競玩家打造的儲存新品，一款是同時配備Thunderbolt與USB接口的T-CREATE開創者雷電3（CLASSIC Thunderbolt3）外接式固態硬碟，另一款是採用極薄石墨烯散熱片的T-FORCE黑武士（CARDEA）Z44L固態硬碟。 T-CREATE開創者雷電3外接式固態硬碟採用了Thunderbolt 3接口，傳輸速度全面超越USB接口，對於追求多平台大文件傳輸的創作者來說非常有用。其單一的Type-C接口除了支持Thunderbolt3/4，還能支持USB 3.2 Gen2，以滿足不同用戶的需求。用戶使用的時候並不需要額外的設置，該款固態硬碟會自動偵測接口類型，實現即插即用。通過Thunderbolt3/4接口方式工作的時候，以PCIe Gen3 x4的速率傳輸，達到2700 MB/s傳輸速度。若通過USB接口方式工作，傳輸速度也能達到900 MB/s。 T-CREATE開創者雷電3外接式固態硬碟最大可選容量為4TB，擁有冰川銀配色的外觀，採用了鋁制外殼，結構堅固耐用，同時提高散熱效能。該款固態硬碟不但支持Windows系統，還支持MacOS，為需要跨系統傳輸數據的用戶提供了方便。 T-FORCE黑武士Z44L固態硬碟採用3D TLC快閃記憶體芯粒，以及SLC快取設計，支持PCIe Gen4 x4標準，讀寫速度分別達到3500MB/s和3000 MB/s，並提供了500GB和1TB等容量。其搭配的石墨烯散熱馬甲擁有多項專利，相比普通散熱馬甲能提升9%的散熱效能，出眾的導熱材質也給了玩家組裝的靈活性。 ...

今年早些時候，Valve 開始為 Steam客戶端測試新版下載與存儲管理頁面，同時穩步推進針對特定功能的大修。現在，這些變化已經在最新的測試頁面上得到了體現。感興趣的 Steam 玩家，都可上線體驗一下。對比來看，最大變化體現在徹底重修的下載頁面上。 Steam 新版下載頁面 如圖所示，用戶現能夠檢查磁碟的分配過程、下載速度，以及與從伺服器下載的壓縮文件相比，更新所使用的磁碟空間量。 其次，與舊版下載頁面的「推到頂部」按鈕不同，新版下載頁面已支持拖動調整排序，且客戶端會讓用戶知曉下載的確切類型（比如遊戲本體/ DLC 安裝包 / 創意工坊模組 / Shader Caching 緩存數據等）。 然後是一個看起來很小的「清除已完成下載內容」的清除按鈕，以及另一個用於快速訪問更新日誌 / 修正檔說明的按鈕。 Steam 新版遊戲倉庫頁面 至於遊戲倉庫管理器，其窗口也迎來了徹底的重修，可知添加新 Steam 資源庫（文件夾）和在不同磁碟分區移動遊戲的過程都變得更加一目瞭然。 最後，更新日誌中還提到了對資源庫、好友列表、遠程同玩、雲端、Steam Input、SteamVR、以及 Steam 客戶端的其它部分實施了調整和 bug...

近年來，SD 存儲卡的速度已經迎來了相當大的飛越。隨著 NVMe 協議的引入，SD Express 存儲卡也被人們寄予了相當高的期望。尷尬的是，在體驗首批參考設計 SD Express 存儲卡時，AnandTech 意外發現其運行溫度竟然高達 96℃ 。對於嬌嫩的人類皮膚來說，這顯然不是一片小小的塑料殼就能擋得住的。 （圖自：AnandTech） 與計算機上採用 PCIe / NVMe 協議的下一代 SSD 類似，SD Express 存儲卡也能夠帶來極速的數據傳輸體驗。 主控方面，慧榮 SM2708 支持 PCIe...

海盜船發布全新Gen4 PCIe x4 NVMe M.2固態硬碟：MP600 PRO XT。 MP600 PRO XT固態硬碟採用了2280 M.2規格，使用了3D TLC NAND快閃記憶體，順序讀取和順序寫入速度最高分別為7100 MB/s和6800 MB/s，寫入量為3000TB。該款固態硬碟帶有大體積的散熱片，其造型比較獨特，美商海盜船表示散熱器的結構可以有效提高散熱效率，以保證性能發揮。 此外，MP600 PRO XT固態硬碟還能與美商海盜船的Hydro X系列XM2水冷頭兼容，能夠讓用戶將固態硬碟放入水冷散熱系統的迴路中，以降低溫度，讓固態硬碟發揮最大性能。和所有的美商海盜船固態硬碟一樣，MP600 PRO XT固態硬碟也支持SSD Toolbox軟體，方便用戶進行更新固件等操作。 MP600 PRO XT固態硬碟提供了三種不同的存儲容量，分別為1TB、2TB和4TB，對應售價為209.99美元、414.99美元和1024.99美元，這些固態硬碟都享受五年保修服務。美商海盜船表示MP600 PRO XT固態硬碟已經開始發售了，用戶隨後可以通過美商海盜船的官方商城或各地經銷商購買。 對於已經想好要搭建水冷散熱系統的用戶，可以直接購買MP600...

今年內Intel就會推出支持DDR5記憶體的Alder Lake平台，當然首發的只有K/KF處理器各三款，非K系列要等到明年第一季度才會出來，而各記憶體廠商的DDR5記憶體模組也在准備中，已經有許多廠家預告了自己的DDR5記憶體了。 當然了經過這麼多次記憶體疊代的老玩家應該都清楚，新記憶體上市時肯定不會便宜，實際上市場調研公司TrendForce已經預測明年DDR5記憶體的供貨價會比現在的DDR4高出30%，而且PC OEM廠商似乎沒有任何打算在明年開始就大量採用DDR5記憶體，預計明年DDR5將會主要用在商用PC產品，而到了2023年才會普及到消費類PC。 另一個市場調研公司Omdia預測，2022年DDR5記憶體在整個DRAM市場的占有率只有10%左右，而到了2024年將會增長到43%。 實際上Intel在開發Alder Lake處理器時就有考慮到給消費者和廠商提供多種記憶體選項，它可支持DDR4、DDR5、LPDDR4X以及LPDDR5記憶體，所以DDR5記憶體並不是新平台唯一的選擇。 Alder Lake處理器本身對DDR5記憶體的支持程度也不高，只支持4800MHz這個起步頻率，實際上6400MHz這頻率可能在零售市場上更常見，記憶體容量到時比DDR4有很大提升，單顆晶片最大容量為64Gb，是DDR4 16Gb的四倍，DDR5的標準工作電壓是1.1V，比DDR4的1.2V更低，所以它有著更低的功耗。 ...

十銓放出了一個視頻預告片，他們會在9月23日舉辦一場TeamEvent 2021的活動，屆時他們會推出多款新一代存儲產品，包括採用一體式水冷的SSD，以及下一代的DDR5記憶體等。 十銓在2019年推出了第一款採用水冷散熱器的SSD T-Force Cardea Liquid SSD，不過這款SSD其實只是在普通的M.2 SSD上面裝了一個內部裝有水冷液的散熱器，由於水冷液並不流動也沒有冷排，它的作用也只是增大熱容而已，現在他們即將要發布的Cardea Liquid II SSD則採用一體式水冷散熱器。 在十銓的預告片里面我們只能看到這款SSD的剪影，可以確定的是它用了一體式水冷散熱器，但冷排尺寸並不太好判斷，可能是常規的120冷排，也有可能是尺寸更小的80/90冷排，此外SSD本體是什麼就真不好猜了，照理來說用得著一體式水冷的話應該是AIC卡才對，但拿隔壁的ARGB接口做參照物的話這很可能只是一個M.2規格的SSD。 除此之外，十銓還准備推出Cardea A440 PRO SSD、M200移動SSD、VULCAN DDR5記憶體、DELTA RGB DDR5記憶體等新產品，沒什麼意外的話十銓這次要推出的兩款SSD都是PCI-E 4.0的，而那個移動SSD可能是USB 3.2 Gen 2*2的。 ...

在去年11月，希捷（Seagate）開始向數據中心提供採用熱輔助磁記錄（HAMR）技術的20TB硬碟。此外，希捷正在開發多款容量為20TB的消費類硬碟，將使用垂直磁記錄（PMR）和疊瓦式磁記錄（SMR）技術，預計採用SMR/PMR+Mach.2技術的硬碟將會在今年下半年上市，會有更高的性價比。 作為希捷的競爭對手，西部數據在HDD上也沒有閒著。據Anandtech報導，在近期舉辦的HDD Reimagine活動期間，西數就介紹了最新的OptiNAND架構，特殊之處在於PCB上集成了iNAND嵌入式通用快閃記憶體驅動器。西數表示，OptiNAND架構區別於過去的混合架構硬碟（SSHD），是一種創新性的架構。與SSHD不同的是，OptiNAND架構里的快閃記憶體並非作為緩存使用，不會在正常操作期間存儲用戶數據，而是存儲硬碟操作的元數據。通過一系列的技術結合，可以有效提升硬碟容量，提高性能和可靠性。 這款20TB硬碟基於OptiNAND+ePMR方案，由9塊碟片組成，單碟容量為2.2TB，使用了三級驅動器來提高磁頭在磁軌上的定位精確度，採用了搭載3D TLC NAND（未知容量）的快閃記憶體驅動器，並通過定製主控晶片進行控制。西數計劃在所有20TB或以上的硬碟中引入OptiNAND架構，並最終將容量提升到50TB。 西數暫時沒有給出具體的讀寫數據，但強調iNAND嵌入式通用快閃記憶體驅動器的加入，能改善硬碟突發隨機讀寫的表現。西數表示基於OptiNAND+ePMR方案的20TB硬碟最快會在年底交付，顯然第一批的客戶是來自於數據中心。 ...

金士頓宣布，將推出全新高性能U盤：DataTraveler Max。這是一款採用USB 3.2 Gen 2標準接口（Type-C）的高性能快閃記憶體檔，最高可提供1000MB/s的讀取速度，以及900MB/s的寫入速度，不但超越眾多SATA接口的固態硬碟，在市面同類產品里也能雄踞一方。 金士頓DataTraveler Max在設計上兼顧了便攜性和易用性，外殼的防滑材質讓用戶不容易脫手而且耐用，推拉式的設計可以很好地保護USB Type-C接口。在DataTraveler Max的背面，還有LED指示燈，讓用戶隨時了解U盤的工作狀態，同時尾部鑰匙環的設計方便用戶隨時攜帶。金士頓快閃記憶體產品經理Carissa Blegen表示： 「DataTraveler Max提供了行業領先的速度和存儲空間，滿足現今消費者對文件的高速存儲需求。我們提供了無與倫比的性能，這也是我們客戶所期待的，通過這一款產品的發布，我們很自豪地為USB-C快閃記憶體檔樹立了一個新的標準。」 DataTraveler Max的整體尺寸為82.17mm x 22.00mm x 9.02mm，重量為12g，金士頓提供了三種不同的存儲容量，分別是256GB、512GB和1TB。該產品可兼容Windows 10、Windows 8.1、macOS（10.14.x或以上）、Linux（2.6.x或以上）和Chrome OS。 DataTraveler Max將會在近期上市，金士頓暫時還沒公布價格，不同的存儲容量的版本都會提供5年質保和免費技術支持服務。 ...

近日，美商海盜船（Corsair）推發布Vengeance RGB RT/RS系列DDR4記憶體，採用了新的散熱片和RGB燈效。 Vengeance RGB RT DDR4系列記憶體有黑色和白色兩種顏色的「馬甲」可以選擇，陽極氧化鋁的材質有助於記憶體模塊的散熱，即便在超頻使用，也能有很好的散熱效率。其擁有10個RGB燈區，單條容量有8GB、16GB和32GB三種可選，頻率從3200 MHz起步，最高可至4000 MHz，其中3600 MHz的時序為C18，3200 MHz的時序為C16。針對該系列不同頻率的記憶體，美商海盜船還提供有雙條或四條的記憶體套裝。 Vengeance RGB RS DDR4系列記憶體只有黑色「馬甲」選擇，同樣也是陽極氧化鋁的材質，不過RGB燈區減少到了6個，單條容量、頻率和時序和Vengeance RGB RT DDR4系列記憶體相同，而且同樣有套裝選擇，不過價格上會比Vengeance RGB RT DDR4系列優惠一些。 美商海盜船表示，對Vengeance RGB RT/RS系列DDR4記憶體進行了嚴格的測試，支持英特爾300系列、400系列、500系列和X299晶片組，AMD方面則是300系列、400系列和500系列晶片組，不過只有Vengeance RGB RT DDR4系列記憶體經過了AMD...

在今天春天就曾傳出，美光和西部數據都各自研究獲得鎧俠（Kioxia）控制權的可能性。目前鎧俠的多數股權是由私募股權公司貝恩資本牽頭的投資者集團持有，原計劃於去年秋天進行首次公開募股（IPO），當時其管理層預計鎧俠的估值達到160億美元。後來由於新冠疫情擴散、市場不確定性以及全球此起彼伏的貿易爭端，最後無限期延遲了。 據《華爾街日報》報導，在過去幾周里，西數與鎧俠之間經過了多輪的談判，洽談合並事項，有可能在9月中旬達成最終協議，預計交易金額達到200億美元。如果雙方最後能夠走在一起，將會成為數據存儲行業的龐然大物，本質上這是三個不同品牌的合並：鎧俠、西部數據和閃迪。毫無疑問，新公司會擁有大量的客戶、眾多的智慧財產權和專利、領先的3D NAND快閃記憶體生產能力和硬碟製造能力、多個開發團隊等。 事實上西部數據和鎧俠的關系本來就很密切，雙方共同擁有兩座在日本的晶圓廠，合計生產的NAND快閃記憶體比行業內任何廠商都要多。據統計，在2021年第一季度，西部數據和鎧俠合計的市場份額為33.4%，僅比三星少了0.1%。即便SK海力士吸收了英特爾的3D NAND和存儲業務，也遠落後於西部數據和鎧俠合計的份額，而美光的差距則更大。 這樣一間控制著超過三分之一NAND快閃記憶體和HDD供應的企業，會影響整個市場的競爭格局，將不可避免地受到反壟斷監管機構的審查。來自美國、英國、日本、中國和歐盟的監管機構肯定會慎重地審查這筆交易，將比SK海力士收購英特爾3D NAND和存儲業務的交易更嚴苛。 ...

微電子行業標準開發的全球領導者 JEDEC 固態技術協會，剛剛宣布了最新的 XFM 嵌入式與可移動存儲設備標準，簡稱 XFMD 。TechPowerUp 指出，XFM 是「Crossover Flash Memory」的縮寫，特指一種新型通用數據存儲介質，能夠以小巧、纖薄的外形，提供 NVMe over PCI Express 接口支持。 網頁截圖（來自：JEDEC 官網） 據悉，XFMD 旨在為通常焊死在物聯網和嵌入式設備上的存儲單元，帶來更高的性能與可更換特性。 而最新頒布的 1.0 版 JESD233 規范，則是由 JEDEC...

在今年二月初，我們報導了三星新的HBM2記憶體將集成了AI引擎，HBM-PIM（Aquabolt-XL）晶片最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計算能力，使記憶體晶片本身可以執行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。近日，三星在Hot Chips 33上介紹了未來更為龐大的開發計劃，會將PIM (processing-in-memory) 技術擴展到DDR4、DDR5、LPDDR5X、GDDR6和HBM3記憶體上。 三星將HBM-PIM晶片直接加入到堆棧中，可以與符合JEDEC標準HBM2記憶體控制器配合使用。三星使用賽靈思（Xilinx）Alveo FPGA進行了測試，這款AI加速器有2.5倍的性能提升，能耗也降低了超過60%。三星表示目前PIM技術已經可以和任何標準的記憶體控制器兼容，但CPU廠商若能提供優化，在某些情況下會帶來更大的性能提升。 目前三星已經與一家CPU廠商一起測試HBM2-PIM，以便在未來產品中使用。由於英特爾的Sapphire Rapids、AMD的Genoa、Arm的Neoverse平台在內的新一代處理器都支持HBM記憶體，未來應用范圍會相當大。 顯然，PIM技術很適合數據中心使用，不過三星進一步將該技術轉向更為標準的記憶體。這次三星演示了AXDIMM記憶體，這是對現有記憶體的優化，在緩沖晶片內集成了AI引擎，盡可能減少CPU和DRAM之間的大量數據交換，以提高效率。AXDIMM記憶體可以插入到標準的DDR4伺服器記憶體插槽就能使用，無需大幅度改變現有的硬體架構。 三星表示已經有廠商使用AXDIMM記憶體在客戶的伺服器上進行測試，在特定的AI應用中，其性能提升了1.8倍，同時功耗降低了超過40%。由於記憶體即將疊代到DDR5，相信三星也會很快跟進，同時可以預期這項技術會在不久的將來推向市場。 三星的PIM技術不僅僅局限於相對高端的領域，也可以同樣轉向貼近消費者的普通產品，比如筆記本電腦、平板電腦、甚至手機。三星已經計劃在LPDDR5記憶體中引入PIM技術，不過仍處於早期階段。在LPDDR5-PIM記憶體（6400 MHz）的模擬測試中，其語音識別工作負載的性能提高了2.3倍，基於轉換器的翻譯性能提高了1.8倍，GPT-2文本生成能力提高了2.4倍，同時功耗都降低了60%以上。 雖然三星的PIM技術進展迅速，可以與標準的記憶體控制器配合使用，但一直沒有獲得JEDEC的認證，這是PIM技術被廣泛使用的主要障礙。三星希望PIM規范可以標準化，從而進一步擴展記憶體產品的組合，比如加入到HBM3標準規范里。目前JEDEC尚未正式發布HBM3標準規范，仍在制定當中。 三星表示，將從HBM2的FP16向前推進到HBM3的FP64，這意味著晶片會具有擴展的功能。FP16和FP32將保留供數據中心使用，而INT8和INT16將服務於LPDDR5、DDR5和GDDR6記憶體，更好地適應不同的應用場景。 三星還會將PIM技術帶到更多不同類型的記憶體里，比如GDDR6，這可以擴寬其應用范圍。三星今年發布了業界首款CXL記憶體模塊，這是基於Compute Express Link標準的新型存儲產品，或許未來也會引入PIM技術。隨著AI技術的興起，PIM技術或許比普通人表面看來更能改變現有的遊戲規則，或許在未來，GPU使用的顯存協助處理一些工作負載，以提升性能並降低功耗是有可能的。 ...

在HotChips 33大會上，三星對外公布了他們正在開發擁有8層TSV封裝的DDR5記憶體，而現在三星的DDR4是用4層TSV封裝的，這使得DDR5記憶體的容量是DDR4的兩倍，未來單根512GB的DDR5成為可能。 根據Computerbase的報導，三星通過優化封裝，晶片之間的間隙減少了40%，而且使用了薄晶圓技術，這使得8層TSV封裝的DDR5高度其實比4層的DDR4更低，而且這還帶來了更好的散熱能力。 一根DDR5記憶體的容量能達到512GB，這和DDR4相比是一個巨大進步，目前面向伺服器市場的DDR4記憶體最多做到單根256GB，而消費級市場最多是64GB和32GB。 三星預計DDR5記憶體會比DDR4性能提高85%，可提供7.2Gbps的帶寬，並且有兩倍的容量，而且DDR5記憶體模塊的電壓只有1.1V，這使得它工作起來更為節能。當然了三星所說的512GB是指伺服器記憶體，普通消費市場不用期待單根記憶體容量很快突破64GB。 三星預測要到2023或2024年主流市場才會過度到DDR5，而數據中心市場轉向會更快一些，所以三星計劃在今年年底前生產512GB的DDR5-7200記憶體模組。 ...

近期三星的勢頭比較猛，根據分析公司IC Insights的數據，在2021年第二季度超越英特爾，成為全球最大的半導體產品供應商。此外，市場調研公司Trendfocus的數據顯示，2021年第二季度在SSD的出貨數據和出貨容量上，三星都占據了最大的份額。 據ComputerBase報導，在HotChips 33上，三星宣布正在開發8層TSV的DDR5記憶體模塊，容量比DDR4記憶體大一倍，這意味著512GB的記憶體模塊成為了可能。雖然新一代的伺服器處理器可以支持非常大容量的記憶體，但實際操作起來仍然有比較大的差別，很重要的一個原因就是DDR4記憶體模塊的容量問題。一般情況下，DDR4記憶體模塊最常見的仍然是32GB或64GB，128GB容量的也不多了，讓大容量記憶體變得更便宜更容易生產非常有必要。 三星通過優化封裝，DDR5記憶體模塊的高度將低於4層的DDR4記憶體。由於管芯之間的間隙減少了40%，間隙會更細，加上薄晶圓處理技術，高度降低成為了可能。更重要的是，8層TSV的DDR5記憶體模塊會有更好的散熱能力。三星表示這種DDR5記憶體相比DDR4記憶體會有85%的性能提升，速率高達7.2 Gbps，電壓為1.1V甚至更低。當然，這麼大容量的產品主要針對的是數據中心市場，與普通消費者之間還有段距離。 三星預計2023年至2024年之間，主流市場才會逐漸過渡到DDR5記憶體。在數據中心市場變化會更快一些，這也是三星計劃在今年年底前開始生產512GB的DDR5-7200記憶體模塊的原因。 ...

市場調研公司Trendfocus最近發布了今年第二季度存儲市場的出貨量統計，數據顯示SSD繼續主導了銷售，而出貨量有所增加，按季度出貨數量從第一季度的9940萬塊增加到9960萬塊，比同期的HDD高出47%。 該統計涵蓋了各類型用途的SSD，包括遊戲機、消費端和企業端等，不過在存儲總容量上HDD仍占有優勢，達到約351EB，而SSD只有大概68EB。在消費市場上，M.2 SSD是消費市場的出貨主力，由於其尺寸的優勢，大量用於筆記本電腦和次世代遊戲機上。不過平均容量上，DFF SSD比M.2 SSD有優勢，平均達到了約512GB，這表明了大多數購買2.5英寸規格SSD的人都將其作為大批量數據存儲用途，除了相比一般的HDD在尺寸上有優勢，數據傳輸速度也更高。 消費市場上SSD的出貨量為8686萬塊，相比第一季度增長了1.7%。三星仍然是這個市場上的領先者，出貨份額上占了24.4%，其次是西數（18.8%）、鎧俠（12.6%）、SK海力士（11.7%）、美光（8.5%）、金士頓（7.9%）、英特爾（5.1%）等。出貨容量份額上，三星也是最多，占了34.9%。 企業市場上，SSD的銷量不如消費市場，出貨量為1274萬塊，不過無論數據容量還是價格，都比消費級的SSD要高得多。由於在2021年沒有什麼技術上的突破，SAS SDD的銷量並沒有大幅度增長，這類型產品平均有3.5TB左右的容量，遠高於普通M.2和SATA接口的SSD，像西數這樣的企業還提供了實惠的報價。 ...

相信應該有不少人都記得在我們之前推出的一期SSD橫評視頻里面，提到了那次測試所用的SN350 960GB版本是用的TLC顆粒。不過由於西數（Western Digital）一直都沒有說明SN 350 SSD是用的什麼快閃記憶體，因此也引來了不少讀者朋友的熱烈討論。不過現在，西數終於更新了他們有關SN 350的文檔，而里面就標示了SN 350 960GB版本的SSD，所使用的就是TLC快閃記憶體。 在這份更新過的文檔中，可以看到SN 350 1TB以及2TB的版本，所使用的確實是QLC快閃記憶體，但是在960GB的這個版本下，則是標示了使用TLC快閃記憶體。不過有趣的是，使用TLC快閃記憶體的SN 350 960GB官方為其標示的TBW為80TBW，比起使用QLC的SN 350 1TB的要稍為低一點。 之前我們在使用SN 350 960GB版本作為測試時，也是發現了這個SSD的緩外速度378MB/s，因而推測SN 350 960GB所使用的並非是QLC快閃記憶體，因為目前也是沒有QLC可以達到這樣的緩外速度。 另外一點有趣的是，最近西數的SN 550藍盤被證實是有更換快閃記憶體的行為，使得新批次SN 550 1TB的緩外平均寫入速度只有390 MB/s左右，與SN 350 960GB的非常接近，這一下子似乎會讓人覺得SN...

相比GPU這類晶片供應短缺的苦不言堪，在今年剛過去的Q2季度，市場對SSD和記憶體需求依然有很強的需求量，加上產能相對足夠，這幫助到主營NAND以及DRAM這兩類業務的半導體公司保持營收增長，三星電子便藉此爬上了半導體市場第一位置。 在IC Insight最新的The McClean Report中，三星電子在Q2季度的半導體業務總營收202.9億美元，環比增長了19%，這是自2018年Q3季度之後，三星時隔近三年，再度重回半導體市場第一位置，韓國這家電子巨頭在該季有192.6億美元是集成電路業務的貢獻，而只有10.3億美元是傳感器、光電原件這些其它IC零件的收入。 至於長期占據首位的Intel，在這個Q2環比只增長了3%，總營收在193億美元，而三星得以超越Intel，主要在於過去一個季度市場對於NAND和DRAM需求的大幅增長，Intel在這兩部分的份額都不多和不生產，更有意思的是，在2018年三星登頂半導體市場時，靠的也是NAND和DRAM在當時供不應求的出貨量。 不過Intel在邏輯類半導體部分仍然是穩坐第一，而排在這兩家半導體巨頭之後的，TSMC在第三位，主營晶片代工的他們在今年晶片產能短缺的形勢下，仍有3%環比增長，達到133.1億美元，再後面的第三位則是Sk Hynix，他們同樣是藉助NAND需求增長，獲得了21%環比增長，當季達到92.1億美元的營收。 ...

十銓科技（Team Group）宣布，推出具備RGB燈效的全新T-FORCE 炫光（DELTA）DDR5系列記憶體，以迎合喜歡炫麗燈效的玩家，不但能體驗新一代記憶體的高性能，還能滿足視覺享受。十銓表示在DDR5記憶體上，與各大板卡廠商緊密合作，並反復進行測試，無論是在DDR5的PMIC測試研究還是XMP超頻上，都取得了豐碩成果。 T-FORCE 炫光（DELTA）DDR5系列記憶體延續了該系列DDR4記憶體的風格，有著銳利而簡潔的線條，但新款的外形更為硬朗。十銓表示，在設計上加入了隱形戰鬥機的意象，以優化整體輪廓。此外，新系列記憶體所使用的每顆RGB LED都可獨立發色與控制閃爍的頻率，有著更高的自由度。目前樣品正在各大板卡廠商進行燈效認證，屆時用戶可以通過主板廠商的燈光控制軟體進行控制，打造自己的專屬燈光效果。 此次推出的新款記憶體單條容量為16GB和32GB，頻率在4800 MHz至5600 MHz，支持最新INTEL XMP 3.0一鍵超頻，性能將超越前代產品。十銓表示初步設定產品的保固年限為3年，未來可能會根據原料或技術等因素再做調整。十銓暫時未公布價格，預定會在2021年第四季度上市。 這並不是十銓首批推出的DDR5記憶體，在今年六月份，十銓就發布了ELITE U-DIMM DDR5記憶體，規格為DDR5-4800的16GB x 2套裝。相比之下，這次T-FORCE 炫光（DELTA）DDR5系列記憶體顯然規格更高，性能更強，更貼近發燒玩家的需求。 ...

雷克沙（Lexar）宣布，推出Hades系列DDR4遊戲記憶體，面向遊戲玩家和需要高性能記憶體的用戶。Hades系列分為Hades OC和Hades RGB兩款，後者支持RGB燈效。或許很多玩家已經在期待新一代的DDR5記憶體，但未來一段時間內，DDR4記憶體仍有不少的市場空間。 去年雷克沙已分別在桌面平台和移動平台推出了DDR4-3200/2666記憶體，這次Hades系列DDR4遊戲記憶體的發布，進一步擴展了記憶體產品線。雷克沙表示，希望提供更多不同的記憶體解決方案，並計劃在年內推出其他新款高性能記憶體。 Hades系列DDR4遊戲記憶體採用了鋁制散熱馬甲，讓記憶體保持良好散熱，以確保在遊戲和密集工作負載的時候穩定運行。同時Hades系列DDR4遊戲記憶體兼容最新的INTEL XMP 2.0和AMD Ryzen平台，並進行了針對性的優化。 其中Hades RGB DDR4遊戲記憶體支持Lexar RGB Sync軟體，用戶可以自定義設置顏色、亮度和閃爍頻率，實現RGB燈效同步，並且能夠保存相關配置文件，以作備用。此外，還兼容華碩Aura Sync、微星Mystic Light、華擎Polychrome SYNC等燈效同步軟體。 雷克沙Hades系列DDR4遊戲記憶體將由亞馬遜獨家發售，這個月內就會上架。Hades RGB DDR4 3600記憶體的16GB（8GB*2）和32GB（16GB*2）套裝，價格分別為109.99美元和216.99美元。Hades RGB DDR4 3200記憶體的16GB（8GB*2）和32GB（16GB*2）套裝，價格分別為103.99美元和199.99美元。Hades OC DDR4 3600記憶體的16GB（8GB*2）和32GB（16GB*2）套裝，價格分別為97.99美元和209.99美元。 ...

在去年，SK海力士推出了面向消費級市場的Gold P31系列SSD。其採用了128層堆疊的4D NAND快閃記憶體，使用的是PCI-E 3.0 x4通道，外形規格為M.2 2280，提供了500GB和1TB兩種容量。SK海力士是全球首家量產128層快閃記憶體的廠商，也是首家銷售128層快閃記憶體的廠商。 所謂4D NAND快閃記憶體本質上也是3D NAND快閃記憶體，只是把NAND快閃記憶體Cell單元的PUC（Peri Under Cell）電路從原有的位置挪到了底部。好處是每個晶圓的產量得以提升，最終每GB的存儲容量可以使用更少的矽，這可以降低生產成本。SK海力士Gold P31 M.2 SSD順序讀寫速度分別為3500 MB/s和3200 MB/s，基本達到了PCI-E 3.0 x4通道的帶寬上限。同時Gold P31 M.2 SSD的功耗比較低，發熱量較小，有著很好的能耗比，非常適合筆記本電腦使用，得到了不錯的評價。 不過時至今日，最大1TB的容量顯然有點太小了，已不能滿足部分消費者的需求。近日，SK海力士宣布Gold P31 M.2 SSD將增加2TB版本，其PCB也由綠色改成了黑色，仍使用名為Cepheus的主控晶片，最大寫入量也提高到1200 TBW。雖然早已展示過2TB容量的Gold P31 M.2 SSD，但已經是一年多以前的事了，SK海力士是最後推出2TB容量的SSD廠商之一。 SK海力士市場營銷主管Sanglae Lee表示，2TB容量的Gold P31 M.2 SSD針對的是大容量和高性能需求的用戶，接下來SK海力士會不斷拓展消費級SSD產品線，以提高市場占有率，滿足更多消費者的需求。 目前2TB容量的Gold P31 M.2...

早期的DIY玩家應該都會知道Rambus這間公司，在世紀之交的時候，如日中天的英特爾非常自信地認定Rambus主導研發的RDRAM（Rambus DynamicRandom Access Memory）在技術上遙遙領先，欽定RDRAM成為SDRAM之後的下一代記憶體標準。 後面的故事大家都知道，最後RDRAM不敵VIA為首的DDR記憶體支持者，退出了PC市場。不過Rambus在遊戲機市場找到了屬於自己的天地，任天堂N64，索尼PlayStation 2和PlayStation 3（使用新一代XDR記憶體標準）上，都看到Rambus的身影。在技術層面上，英特爾並沒有錯，Rambus在記憶體技術上確實有自己的獨到之處，多年來通過專利和技術授權獲得收益。 今天，Rambus推出了HBM3記憶體子系統解決方案，速率高達8.4 Gbps，單顆帶寬達到了1.075TB/s，大大高於目前高端HBM2E記憶體子系統（速率3.6 Gbps、帶寬460 GB/s）。此前AMD在Radeon VII顯卡上使用的HBM2，每顆帶寬為256GB/s，通過四顆HBM2組合才突破1TB/s的關卡。 Rambus表示，其HBM3記憶體子系統通過完全集成PHY和數字控制器降低ASIC設計難度，內置了硬體級性能監視器，並支持HBM3 RAS等功能，作為IP授權的一部分，還包括2.5D封裝和中介層參考設計。該解決方案是建立在廣泛使用的HBM2基礎上，會有一整套支持服務，以確保任務關鍵型AI/ML和HPC應用的正確實施。 目前制定HBM標準的JEDEC尚未正式發布HBM3標準規范，SK海力士作為主要推動者，幾個月前曾公布仍在研發階段的HBM3計劃，速率為5.2 Gbps，帶寬為665 GB/s。當然這不是SK海力士對於HBM3的最終目標，在此之前已經有其他廠商宣布會將速率提高到7.2 Gbps。 ...

前一段時間，國外有消費者購買了容量為2TB的Patriot（博帝）VPN100固態硬碟，發現手上的這款固態硬碟實際使用的解決方案與產品說明書里的介紹完全不一樣。原本使用的是Phison E12主控晶片和2GB的DRAM緩存，但實際上買到的產品是Phison E12S主控晶片以及512MB的DRAM緩存。 雖然VPN100固態硬碟不是美國市場上性能最好的固態硬碟，但卻是一款實惠的產品，所以此事受到了不少消費者的關注。雖然博帝發表聲明稱，兩款配置可以提供一樣的性能，但實際上還是有差別的。比如在TBW方面，使用Phison E12主控晶片和2GB的DRAM緩存的產品是3115 TB，而Phison E12S主控晶片以及512MB的DRAM緩存的產品是900 TB，存在較大差異。 由於大部分固態硬碟廠商都不會自己生產主控晶片和快閃記憶體，在半導體行業普遍供應緊張的背景下，零配件混用成了難以避免的問題。大多數出現類似的情況，除了供應問題，很大部分原因是廠商為了降低成本，最終結果是產品性能下降。在消費者看來，如果組件之間差異較大，那麼製造商就有責任告知消費者，這也是此事導致用戶不滿的其中一個重要原因。 類似博帝這樣的事件不是第一次，也不會是最後一次。 據TomsHardware報導，近日發現容量為500GB的英睿達（Crucial）P2固態硬碟也有類似的問題。前一段時間我們《六款主流級1TB M.2 SSD橫評：QLC與TLC的大亂鬥》的評測里也有這款固態硬碟，參與測試的是1TB版本，使用的是QLC快閃記憶體，內容中也提及了該系列產品混用快閃記憶體的情況。與博帝有所不同的是，英睿達的P2系列固態硬碟無論是TLC快閃記憶體還是QLC快閃記憶體，都是使用Phison E13T作為主控晶片。 此事在國外引起爭議的原因與博帝的VPN100固態硬碟有些許類似，一方面沒有明確的標示，另一方面更換組件後性能有較大幅度下降。為了證明更換組件的影響，TomsHardware將TLC快閃記憶體與QLC快閃記憶體的P2固態硬碟做了一次對比測試。 從外表上看，採用TLC快閃記憶體與QLC快閃記憶體的P2固態硬碟基本沒什麼區別，採用QLC快閃記憶體的那款只是標簽上多了UK/CA字樣以及新的固件版本，同時少了兩個快閃記憶體晶片，不過被表面的標簽很好地隱藏了。TomsHardware表示最早的版本使用的應該是512Gb的96層TLC快閃記憶體，但這次TLC快閃記憶體的款式使用的是256Gb的64層TLC (B16A) 快閃記憶體，理論上性能已有所下降，同時也意味著P2固態硬碟至少有三種不同的配置方案。 除了TLC快閃記憶體與QLC快閃記憶體的P2固態硬碟，TomsHardware還使用了包括三星980 Pro、Sabrent Rocket NVMe 4.0、SK海力士Gold P31、三星 970 EVO Plus、三星980、希捷BarraCuda 510和西數 Blue SN550做了對比測試，項目有遊戲《最終幻想XIV》、PCMark 10、DiskBench、ATTO和CrystalDiskMark等（項目較多有興趣可看原文）。 最後結果也是顯而易見的，與採用TLC快閃記憶體的版本相比，更換成QLC快閃記憶體的P2固態硬碟在性能上大打折扣，比如SLC緩存已滿後，平均速度僅為...

3D納米網絡有望成為現代固態物理學的一個新時代，在光子學、生物醫學和自旋電子學方面有許多應用。三維磁性納米結構的實現可以實現超快速和低能量的數據存儲設備。由於這些系統中相互競爭的磁相互作用，可以出現磁電荷或磁單極，它們可以作為移動的、二進位的信息載體使用。 ...

Intel第12代酷睿處理器Alder Lake同時支持DDR5與DDR4記憶體，這種操作在兩代記憶體過渡的時候很常見，因為新的記憶體上市初期基本都面臨這供貨短缺而且價格過高的問題，高端市場可能沒所謂，但主流市場還是得靠舊記憶體來支撐出貨，當然了使用舊記憶體的話性能就可能沒那麼好。 現在Userbenchmark的資料庫里面已經有了Alder Lake用DDR5記憶體與DDR4記憶體的跑分結果，這兩個結果都是用16核24線程的處理器，但頻率並不相同，可能一個是Core i9-12900另一個是Core i9-12900K，當然也有可能是單純的廠商測試用的無名ES處理器。 DDR5平台用的是兩根美光的DDR5-4800 8GB，型號是C8C1084S1UC48BAW，查不到具體信息，不過美光原廠的記憶體多數是符合JEDEC規范，它們的CL可能是40。而DDR4平台則是使用兩根惠普OEM定製的金士頓HyperX Fury DDR4-3200 8GB記憶體，也查不到信息，暫且假設它也符合JEDEC規范，CL22。 測試結果出乎意料，頻率更高的DDR5記憶體讀取寫入帶寬甚至比DDR4還低，只是混合高一點，而且記憶體延遲要低不少，不過說真的，這份測試結果DDR4-3200記憶體延遲高得出奇，在Userbenchmark資料庫里面這套記憶體的平均延遲是75.2ns，而這份Alder Lake測試樣本的記憶體延遲非常高，具體什麼情況估計得等有更多樣本後才好判斷。 ...

普渡大學的一支研究團隊，正在嘗試用彩色的「數字字符」技術，來取代誕生於 1830 年的傳統摩爾斯電碼，以實現光學存儲的現代化。然而考慮到每天需要獲取、數位化存檔、以及快速訪問的信息量，研究團隊相信新技術將有助於應對 COVID-19 大流行期間和之後的遠程數據存儲的爆炸式增長。 盡管傳統的點劃線系統似乎顯得有些過時，但其基礎原理仍在許多光存儲媒介中得到廣泛的運用。 而在近日發表於《雷射與光子學評論》期刊上的一篇文章中，普渡大學研究團隊就介紹了一項題為《使用等離子顏色實現光學隱寫術、數據存儲和加密》的新技術。 不過研究人員沒有利用傳統的點和劃線，而是在微型天線的角度位置對信息進行編碼，以使之能夠在每單位面積上存儲更多數據。 如題圖所示，普渡大學創新者提出的各向異性超表面方案，在高密度光學數據存儲、動態彩色圖像顯示和加密等方面，都具有巨大潛力。 該校電氣與計算機系工程副教授 Alexander Kildishev 表示：「新方案可極大增加相關裝置的存儲容量，且僅取決於傳感器的解析度。我們可通過解析力來確定天線的角度位置、並將之映射成相應的顏色，來對其進行編碼」。 鑒於並非所有光學數據存儲介質，都需要雷射寫入或可重寫，這項技術將有助於提升光學數字存儲技術的存儲空間可用性。 作為參考，大多數 CD / DVD / BD 光碟都帶有一次性記錄的「標記」，且具有訪問速度快、保質期長、存檔能力出色等特點。 前博士生 Di Wang 表示：「我們基於超表面的『光學存儲』的原理，與光碟的壓盤類似。而在演示原型中，信息是通過電子束光刻『燒錄』的，並且能夠在最終產品的可擴展製造過程中進行復制」。 如此一來，這項新技術不僅能夠存儲更多的光學數據信息，還能夠進一步提升數據的讀出率。 Alexander Kildishev 補充道：「我們可以在附近放置四個傳感器，每個傳感器都會讀取對應的偏振光。與使用基於點劃線的單個傳感器相比，這有助於提升信息的讀取速度」。 展望未來，這項技術還可應用於安全標記和密碼學等領域。為繼續開發這些功能，研究團隊正在尋求對此感興趣的各方合作夥伴。 來源：cnBeta

索尼Play Station 5內置只有825GB存儲空間，已經不足夠應付如今動輒上百GB的遊戲文件。所幸的是，Play Station 5預留了一個標準的M.2 SSD擴展槽，而且是PCI-E 4.0規范。雖然Play Station 5初期並沒有開放這個M.2 SSD擴展槽，為玩家日後拓展存儲容量提供了機會。 在七月底，索尼已公布了擴充內建儲存容量的要求及指引，根據官方文檔的說明，使用該擴展槽的M.2 SSD的連續讀取速度需達到5500MB/s，只有少數高端型號的M.2 SSD才能滿足要求，玩家可選擇的餘地並不大。同時索尼建議玩家自行加裝的M.2 SSD，需要帶有散熱馬甲，這大概是防止過熱而出現掉速。 近日，十銓科技旗下電競品牌T-FORCE發布了專用於PlayStation 5擴充容量的T-FORCE CARDEA A440 Pro Special Series M.2 PCIe SSD，並使用白色石墨烯散熱片，預計會在十月發售。其連續讀取和連續寫入速度分別達到了7400 MB/s和7000 MB/s，最高提供8TB的容量。無論散熱片尺寸、讀寫速度和容量皆符合索尼的官方要求，讓玩家輕松地為Play...

Kioxia（鎧俠）宣布，將推出新版UFS 3.1嵌入式快閃記憶體設備，容量分別為256GB和512GB。鎧俠的快閃記憶體產品高級總監Scott Beekman表示，鎧俠最新的UFS設備通過Host Performance Booster等功能進一步突破了性能界限，成為智慧型手機和其他移動設備所需的薄型封裝解決方案。 鎧俠表示新產品將採用第五代 BiCS FLASH 3D（112 層）快閃記憶體，封裝高度分別為0.8mm（僅限於256GB容量）和1.0mm，並支持HPB 2.0技術。與此前的產品相比，隨機讀取性能提高約30%，隨機寫入性能提高約40%，面向包括高端智慧型手機在內的移動設備。 在鎧俠看來，現階段嵌入式快閃記憶體仍迫切需要提高性能和密度。在以GB為容量的存儲設備里，UFS越來越成為首選解決方案。以e-MMC和UFS為主導的快閃記憶體存儲市場里，2021年近70%的需求來自UFS，並且繼續在增長。此前鎧俠就表示，看好快閃記憶體業務的前景，會建立新的研究中心，以增強其研發能力。 和格羅方德半導體股份有限公司（GlobalFoundries）一樣，鎧俠也有首次公開募股（IPO）的打算。隨著新冠病毒擴散而爆發的半導體需求，讓這兩間公司在過去一年多的時間里，有了很大的發展空間，都加大了技術開發和產能擴充的投入，同時估值也不斷抬高。鎧俠的估值從最初的160億美元，幾乎翻倍至目前的300億美元。 此前市場傳出英特爾有意以300億美元收購GlobalFoundries，鎧俠也有類似的傳聞，不過收購方是美光或西數。在未來幾年，半導體行業有著不錯的發展前景，現在的估值可能遠沒到上限，所以看起來並不想被輕易收購。 ...

電池研究前沿之一就是利用結構部件來存儲能量。目前這種創意已經作為一種減輕重量的方式，開始裝備在電動汽車和士兵裝備上。現在，科學家將這個概念應用於微型電池上，其重量輕到可以讓昆蟲攜帶，而能量密度是傳統電池的 4 倍。 ...

上一季度DRAM記憶體的價格暴漲了25%，而本季度漲幅收窄，合約價大概漲了3~8%，而從7月份開始，市場已經出現了需求疲軟的態勢，此前OEM廠商因為擔憂半導體元件缺貨的問題手頭上有大量備貨，較多的庫存對價格上漲有不少阻力，而且隨著歐美的逐步解封，對PC的需求就會有所降低，拉低了對記憶體的總需求量，預計第四季度記憶體價格會走跌，降幅在0~5%之間。 根據TrendForce的統計，因為近期記憶體廠手頭上有較多的庫存，所以廠家都開始降價求售，自5月20日截至8月3日，目前市場上主流記憶體的累積跌幅已經達到了32%，而且與第三季的合約價相比，現貨記憶體模組的價格甚至低於合約價，這是今年首次出現這現象，記憶體現貨價與合約價已有兩成的逆差，而且短期內沒有漲價的動力。 今年第二季度疫情高峰的時候，各個OEM廠商都在積極購買零件以避免陷入部件供應斷鏈的情況，這使得當季DRAM價格暴漲25%，這也使得廠商手頭上有大量的庫存，在6月底的時候，PC OEM上市手頭上的庫存能維持8~10周的出貨，部分品牌的記憶體庫量能維持10周以上，進入第三季後隨著後續的訂單陸續交貨，某些廠商庫存已經超過了12周的水平，在這麼高的庫存壓力下第四季度再加購是不太可能的。 而且隨著歐美的解封，PC出貨量會逐漸走低，特別是Chromebook最為明顯，在第二季度達到高峰後需求已經開始逐月下降了。盡管第四季度是銷售旺季，而且商用市場也有換機的需求，但筆記本需求會降低不少，整體記憶體需求量會降低。 所以記憶體第四季度價格會轉向下跌，Consumer DRAM DDR4的價格也會一同走低。顯存方面，由於NVIDIA現在出貨已經全部轉向限制哈希率的LHR系列，導致虛擬幣礦工的需求暴跌，這也必然降低對顯存的需求，合約價也會有所降低。伺服器記憶體由於受惠Intel新推出的Ice Lake平台，第四季度價格可能會持平，移動記憶體價格也會大致持平。 ...

在2020虛擬快閃記憶體峰會期間，NEO半導體執行長兼創始人Andy Hsu展示了一種新穎的NAND技術。這是被稱為X-NAND的快閃記憶體技術，其特點是將SLC的速度與QLC的高密度與低價結合在一起。據Blocks And Files報導，NEO半導體已獲得了X-NAND技術的專利。這家位於聖何塞的公司成立於2012年，目前擁有20多項與記憶體相關的專利，而且還在不斷研發中。 自NAND快閃記憶體誕生以來，一直沒有停下發展的腳步，基本上都是追求更高的存儲密度。從最初的SLC一直發展到現在的QLC，存儲密度有了大幅度提升，但隨著單元中位數增加，讀寫速度相對更低了，而且耐用性也變差了。 X-NAND技術旨在擁有單級單元（SLC）NAND快閃記憶體的速度，同時提供四級單元（QLC）NAND快閃記憶體的容量，並盡可能以最小的尺寸實現這一目標。據稱，X-NAND的隨機讀寫與寫入比QLC快閃記憶體快三倍，連續讀取快27倍，連續寫入快14倍。此外晶片的尺寸更小，Die Size只有同樣16 planes的NAND快閃記憶體的37%，還可以根據實際需要縮減晶片的尺寸，功耗也更低。 X-NAND技術可以與現有的任何NAND快閃記憶體配合使用，不需要進行結構更改，沒有額外的製造成本，從而提高了靈活性並簡化了轉換速度。未來NEO半導體很可能會將X-NAND技術授權給NAND快閃記憶體晶片的製造商，包括Kioxia（鎧俠）、美光、三星和SK海力士等。 ...

2018年，三星發布了首款搭載QLC顆粒的固態硬碟860 QVO，定位入門級硬碟領域，發布之後消費者對QLC固態硬碟的評價褒貶不一。 經過一年的沉澱，三星發布了860 QVO的升級版本——870 QVO，1TB起步的起步容量以及最高8TB的超大容量，新QVO系列可以說得到了口碑和性價比的雙豐收。 不過對於一些用戶而言，他們認為固態硬碟使用QLC顆粒就是一種「退步」。 那麼QVO系列的推出，究竟是固態硬碟發展史的進步，還是開了一次「倒車」呢？這里不著急先下結論，我們一步步來進行分析。 說在前面：QLC固態的使命，不是為了替代TLC 首先我們再來回顧一下NAND快閃記憶體存儲的基本原理：存儲單元通過施加不同變化的電壓實現信息存儲。 其實SLC/MLC/TLC/QLC顆粒的區別，就是按存儲單元可存放的數據量進行區分，TLC顆粒的一個cell單元可以存儲3bit信息，容量相比MLC顆粒增加1/3，擦寫壽命也降至1000-3000次。 而QLC顆粒的一個cell單元可以存儲4bit信息，容量相比TLC顆粒再次增加1/3，但是寫入性能、擦寫壽命同樣會相應減少。 目前，TLC顆粒占據著固態硬碟顆粒市場的大頭，縱觀固態硬碟從SLC顆粒到TLC顆粒的發展歷程，我們很容易就能得出「QLC固態硬碟即將替代TLC硬碟」的結論。 實際上，QLC固態的使命，並不是為了替代TLC固態，而是為了替代HDD硬碟。 大容量存儲時代，QLC未來可期 在QLC固態剛推出的時候，許多存儲廠商都將首發目標對准了企業級市場，而不是消費級，原因在於，NAND廠商把QLC顆粒的硬碟定位於大容量數據盤，用於取代企業級HDD硬碟的地位。 一旦QLC快閃記憶體顆粒大規模量產，除了在連續讀取性能上雖然不會領先HDD太多外，可以達到10-100TB的大容量。 在連續讀取性能上雖然不會領先HDD太多，但是隨機讀寫能力也可以遠超機械硬碟，這是固態硬碟的運行原理所決定的。 同時相比待機功耗，QLC硬碟更是低上不少，因此在企業級大規模數據陣列的應用上，QLC固態硬碟可以說完勝HDD硬碟。 那麼QLC快閃記憶體是如何將容量大幅提升的呢？除了上面所提到的每個cell單元的存儲數據量上升之外，3D-NAND技術也是其中不可或缺的一環，它的原理是通過在同一個晶片上垂直堆疊多層存儲單元，通過堆棧更高的層數，實現更大的存儲密度。 三星在3D-NAND快閃記憶體技術方面已經實現大規模成熟量產，此前首發的860 QVO就已經實現單顆粒1TB容量，如今發售新一代870 QVO甚至達到了最高8TB的存儲容量。 隨著成本的降低，未來QLC固態硬碟將會進入TB起步的大容量時代，是真正可能取代HDD硬碟的選擇。 對於普通用戶，最理想的使用場景就是使用一塊TLC的NVMe硬碟作為系統盤，大容量的QLC固態硬碟作為從盤（數據盤），這樣QLC快閃記憶體的優勢就能夠最大化的發揮了。 3D-NAND：提升QLC可靠性的良方 部分用戶不看好QLC固態硬碟的普遍原因就在於QLC快閃記憶體的壽命。前面也提及到，由於先天技術原理的原因，QLC顆粒的性能和可靠性確實會有所降低。但是要知道，現在是屬於3D-NAND堆棧技術的時代。 以往2D-NAND快閃記憶體想要追求容量提升，就需要依靠製程工藝，提高電晶體密度，就像一個房間里，所有人都變小了，才能裝得下更多人。 因此那段時間NAND快閃記憶體的製程工藝一路飆升，從50nm不斷升級最終發展到10nm工藝製程，不過人太多也會「喘不過氣」，隨著2D-NAND快閃記憶體工藝的提升，由於快閃記憶體的特性，其可靠性會隨之降低。 但是有了3D-NAND堆棧，情況就變得不一樣了，以三星870 QVO為例子，其採用的都是堆棧90層以上V-NAND快閃記憶體顆粒，不僅容量變得更大，可靠性也隨著堆棧層數的上升而提高。 因此頂配的8TB版本的壽命高達2880TBW，這意味著即便一天讀寫1TB的數據，也可以用上接近8年。 即便主流消費者選擇的870 QVO 1TB版本，寫入壽命為360TBW，一般每天日常讀寫40G左右，同樣也能用上十幾二十年，所以關於壽命的問題。 目前主流的QLC固態壽命，已經可以滿足大部分用戶的需求。 新一代QVO的性能到底如何？ 在新一代870 QVO上市的時候，PConline也對其進行了評測，新一代QVO系列的顆粒和主控都有進行升級，並且增加了8TB的超大容量選擇。 讀寫性能方面，雖然QLC快閃記憶體的連續讀寫性能比HDD硬碟沒強上多少，但是可以通過智能TurboWrite技術，硬碟在數據傳輸過程中會創建一個固定空間的高性能SLC寫緩沖區，大幅提高寫入速度。 像三星870 QVO 4TB版本就擁有78G的動態SLC緩存空間，基本可以滿足日常的使用需求，可能有些大家會擔心寫入放大的情況，實際上動態SLC緩存並不會對同一區塊進行反復擦寫，而是會智能選取，所以這是一項性能與壽命兼顧的技術。 總結：QLC固態的誕生，順應了時代潮流 隨著時代發展和5G網絡的普及，未來我們對於大容量存儲的需求勢必進一步加大，而QLC固態硬碟的誕生正是順應了這股時代潮流，大容量、高隨機讀寫的特點無論在消費級還是企業級領域必然會有更廣闊的發揮空間。 反之，現在HDD硬碟為了實現大容量，開始採用SMR（疊瓦式磁記錄）技術，在擦寫可靠性方面的優勢已經不再，未來HDD硬碟被QLC硬碟所取代，可能只是時間問題了。 來源：快科技

雖然在消費級市場里，使用DDR5記憶體的平台還沒有到來，但各大廠商已經在摩拳擦掌了。根據各個記憶體廠商的數據，DDR5記憶體的傳輸速率從6400 MT/s一直到12600 MT/s，相比DDR4記憶體高了許多。那些極端的傳輸速率，很大程度上是通過DDR5記憶體的板載電源管理IC（PMIC）和電壓調節模塊（VRM）實現的。 在過去許多年，記憶體基本不需要專門的散熱模塊，過去除了一些高頻的DDR3和DDR4記憶體以外，用戶還可以找到沒有「馬甲」的JEDEC標準頻率記憶體。到了DDR5記憶體時代，記憶體的散熱會變得復雜，或許簡單的散熱片也不那麼容易滿足散熱需求了。 近日，美商海盜船（Corsair）的DIY市場營銷總監George Makris在官方油管帳戶上就表示，由於電壓調節模塊從主板轉移到了記憶體PCB上，DDR5記憶體會比DDR4記憶體更熱。美商海盜船記憶體產品經理Matt Woithe也重申了這點，並表示准備使用美商海盜船獨家的雙路徑熱交換（DHX）來解決DDR5記憶體模組的發熱問題。 在過去每一代DDR記憶體上，電壓都在降低。DDR5記憶體的電壓已低至1.1V，電壓調節模塊的作用巨大。另一方面，一些高端高頻的DDR5記憶體，會通過增加電壓的方式提高頻率，比如威剛就表示速率為12600 MT/s的DDR5記憶體的電壓為1.6V，這會大大增加記憶體的發熱量。與此同時，DDR5記憶體還具備ECC校驗功能，極大地提高了穩定性，不過美商海盜船沒有確認這項功能是否會增加發熱量。 預計美商海盜船會在今年年末發布首批DDR5記憶體，以迎接英特爾Alder Lake平台。 ...

期待已經的PS5存儲擴展功能終於在不久前的更新中正式上線了，到目前為止，對於這一期待已久的功能的評價都相當積極。而在與系統內部存儲的對比測試中，擴展存儲也顯示出令人鼓舞的結果。 在安裝固態硬碟後，PS5會進行讀取速度測試，然後允許將遊戲移動或安裝到固態硬碟上。YouTube頻道Digital Foundry使用三星980 Pro SSD進行測試，令人驚訝的是，某些遊戲在固態中的加載速度更快。在大多數情況下它只會將加載時間縮短幾秒鍾，但考慮到PS5的加載時間已經非常快，因此這幾秒種的進步是令人印象深刻的壯舉。 不過，PS5的SSD擴展並不像Xbox Series X那樣簡單地插入系統就可以做到，你需要先卸下系統外殼以及幾顆螺絲釘才可以看到接口。同時建議為SSD添加散熱器，因為它們在訪問時往往伴隨著升溫。 而除了令人興奮的第三方SSD支持以外，新的系統更新還帶來了諸如新的UI等功能，以更好地將PS4和PS5的遊戲劃分開來。不過，SSD的支持顯然是此次更新的重點，隨著遊戲文件大小的不斷增加，PS5用戶需要在系統中儲存更多內容，刪除某些遊戲來為別的遊戲騰出空間顯得相當不方便。 不過，如PS4一樣，PS5仍然不允許將遊戲復制到外部驅動器，這使得當現在的驅動器出現問題時玩家沒有辦法備份他們的遊戲。 來源：遊俠網

威剛科技攜手旗下專業電競品牌XPG，在8月6日上午11點舉辦全球在線新品發布會，其主題為「Xtreme Innovation」，以展現創立二十年來持續追求創新，不斷以科技帶給人們更便利更具智慧生活的初衷，展示了固態硬碟、新一代DDR5記憶體模塊和記憶卡等產品。 威剛將推出的DDR5記憶體模塊，效能最高可達8400 MT/s，容量也將提升至64GB，電壓僅為1.1V，以適應多任務處理，在文檔和程序間切換更順暢。據了解，威剛未來還會提供效能高達12600 MT/s的DDR5記憶體模塊。為了更好地滿足用戶在社交媒體、視頻流和5G網絡時代的需要，威剛准備了一系列新產品，其中包括了LEGEND PCIe Gen4 SSD系列，能夠實現7400 MB/s的極快讀取速度，非常適合視頻編輯和3D渲染。 隨著越來越多的用戶有便攜存儲的需求，威剛將推出USB4接口的外置SSD，這款名為SE920的產品讀寫速度最高達4000 MB/s，是目前業界傳輸效能最快的外置存儲裝置。威剛同時還展示了Premier Extreme SDXC SD7.0 Express記憶卡，可透過SD 7.0讀卡插槽進行高速傳輸和後端的影像編輯處理，甚至可以當成可攜式微型固態硬碟，其讀取和寫入速度分別高達800 MB/s和700 MB/s，由於向後兼容UHS-I，以進一步簡化使用。 威剛還推出了一系列遊戲產品，包括XPG XENIA 14和XENIA 15，均搭載英特爾第11代酷睿系列處理器，並提供了Thunderbolt 4接口。前者有著15毫米的輕薄鎂合金機身，重量僅為970克，可提供長達10小時的電池續航時間。後者同樣採用鎂合金機身，重量不到2kg，可選擇英偉達GeForce RTX 3060/RTX 3070顯卡。 此外，威剛還提供了XPG PRECOG...