近日，美光推出了基於單顆32Gb晶片的128GB DDR5-8000 RDIMM記憶體模塊。據TomsHardware報導，美光還公布了未來五年的產品路線圖，分享了對高性能、高容量存儲技術的展望，其中包括了一些過去未曾公開討論的技術。
美光希望未來幾年繼續在HBM和GDDR類記憶體上努力，此前已推出業界首款帶寬超過1.2 TB/s、引腳速度超過9.2 GB/s、8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2，對應的應該就是路線圖上顯示的HBM3E。美光該款HBM3E將於2024年初到來，預計會在英偉達面向AI和HPC推出的新一代GPU上首次亮相。美光還在准備12層垂直堆疊的單品36GB HBM3E晶片，將會在2025年推出。
更大變化的將是HBM4，計劃在2026年發布，記憶體堆棧將採用2048位接口，帶寬超過1.5 TB/s。美光打算在2026年至2027年之間，推出容量在36GB至48GB、12/16層垂直堆疊的產品。到了2028年還會有HBM4E，頻率將進一步提升，容量將增加至48GB到64GB，帶寬增加至2 TB/s以上。
下一個GDDR版本，也就是GDDR7將會在2024年末到來，每個數據I/O接口的速率達到了32 Gbps，容量為16Gb至24Gb。預計到2026年末，單個晶片的容量會超過24Gb，速率也會提升至36 Gbps。
美光預計在2025年提供128GB至256GB的MCR DIMM記憶體模塊，數據傳輸速率為8800 MT/s，然後在2026年或2027年提供容量超過256GB的MCR DIMM記憶體模塊，數據傳輸速率會攀升至12800 MT/s。同時美光准備推出支持CXL 2.0的記憶體模塊，容量在128GB至256GB，帶寬將達到36 GB/s，接下來還有支持CXL 3.x的記憶體模塊，容量超過256GB，帶寬超過72 GB/s。
對於低功耗應用，業界將繼續使用LPDDR記憶體。美光速率為8533 MT/s或9600 MT/s的LPDDR5X將繼續使用一段時間，然後從2025年開始提供基於LPDDR設計的LPCAMM2記憶體，速率為8533 MT/s，容量在16GB至128GB，到了2026年中旬還會有速率為9600 MT/s、容量超過192GB的產品。
來源：超能網
