DDR5記憶體是下一代標準，三大記憶體廠商都已經推出了相關產品，不過產品爆發至少是2021年之後了，現在大家的主力依然是DDR4記憶體。美光即將量產1znm工藝的DDR4顆粒，相當於12-14nm工藝，可以輕松製造單條16GB記憶體。
記憶體進入20nm節點之後，製程工藝已經不再具體標明數字，而是用1x、1y、1z來代替，大體來說1Xnm工藝相當於16-19nm級別、1Ynm相當於14-16nm，1Znm工藝相當於12-14nm級別。
根據美光之前公布的路線圖，實際上1Znm之後還會有1αnm、1βnm、1γnm，這樣一來10nm級別就有六種製造工藝了，現在正好演進到到了第三代。
美光現在量產的主力是1ynm工藝的DDR4顆粒，去年就宣布推出1znmk工藝的DDR4顆粒了，今年正在不斷擴大量產規模，1znm工藝的記憶體很快就要成為主力。
記憶體工藝微縮意味着可以製造出核心容量更大的產品，1znm記憶體量產之後，16Gb核心製造更容易，只要8個核心就可以做出單條16GB的記憶體，滿足目前台式機及筆記本大記憶體的需求。
此外，美光的1znm工藝未來還會用於生產DDR5記憶體，至少早期的DDR5記憶體會是這樣。
來源：快科技
