英特爾宣布，與美國商務部簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），後者將根據《晶片法案》向英特爾提供約85億美元的直接撥款，另外還有最高110億美元的貸款。《晶片法案》的資助旨在提高美國的半導體製造和研發能力，特別是在尖端半導體方面。
英特爾得到了迄今為止《晶片法案》里最大的一筆補貼，這是屬於390億美元直接撥款和750億美元貸款和擔保的一部分。此前美國商務部就已經根據《晶片法案》向英特爾的同行GlobalFoundries提供了15億美元的直接撥款，另外還有16億美元的貸款。
英特爾是唯一一家同時設計和製造尖端邏輯晶片的美國公司，其戰略以三個核心要素為中心：建立工藝技術領先地位、建立更具彈性和可持續性的全球半導體供應鏈、以及創建世界一流的代工業務。英特爾表示，這些都符合《晶片法案》的目標，即將製造和技術領導地位帶回美國。
除了直接撥款和貸款外，英特爾還可以向美國財政部申請投資稅收抵免，最高可達未來五年1000億美元資本支出的25%。美國商務部部長Gina Raimondo稱，這將有助於激勵英特爾在美國製造業進行價值超過1000億美元的投資。
圖：英特爾位於俄亥俄州新奧爾巴尼園區的晶圓廠正在建設中
《晶片法案》的資金將用於英特爾在美國四個州的新建晶圓廠和先進封裝項目，預計25%至30%用在建造生產設施，其餘約70%用於晶圓廠安裝工具，具體包括：亞利桑那州的Octillo園區新建兩座晶圓廠，分別為Fab 52和Fab 62，打造下一代EUV生產線為Intel 18/20A工藝服務；俄亥俄州的新奧爾巴尼園區的兩座新建晶圓廠；俄勒岡州希爾斯伯勒園區進行的擴建和改造，涉及D1X晶圓廠等設施，近期開始安裝ASML的High-NA EUV光刻機；新墨西哥州里奧蘭喬的Fab 9和Fab 11X，用於先進的半導體封裝技術。
來源：超能網
