三星官方在上個月末宣布，其位於韓國的華城工廠開始生產3nm晶片。這是目前半導體製造工藝中最先進的技術，三星也成為了全球唯一一家提供採用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架構電晶體技術，提供3nm工藝代工服務的代工企業。
據Business Korea報導，三星計劃在2022年7月5日在華城工廠舉行3nm GAA晶片的首次發貨儀式，三星設備解決方案部分負責人慶桂顯和韓國工業貿易資源部長李昌陽都會出席。據了解，首個客戶是上海磐矽半導體，這批晶片將用於加密貨幣業務。
有消息指出，三星可能會使用3nm工藝製造Exynos 2300，或用於明年的Galaxy S23系列，不過前一段有報導稱，其表現不達預期，Galaxy S23系列可能全部採用高通的解決方案。此外，Google第三代Tensor晶片也可能採用三星3nm工藝，將用於Pixel 8系列。高通在即將發布的Snapdragon 8 Gen2上選擇了台積電的4nm工藝，如無意外並不會出現三星製造的版本。
三星表示，與原來採用FinFET的5nm工藝相比，初代3nm GAA製程節點在功耗、性能和面積（PPA）方面有不同程度的改進，其面積減少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。到了第二代3nm晶片，面積減少了35%、性能提高30%、功耗降低50%。這也是三星首次實現GAA「多橋-通道場效應電晶體（MBCFET）」應用，打破了FinFET原有的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時還通過增加驅動電流增強晶片性能。
來源：超能網
