三星推出HBM3E「Shinebolt」:面向下一代人工智慧應用

近日,三星舉辦了「Samsung Memory Tech Day 2023」活動,展示了一系列引領超大規模人工智慧(AI)時代的創新技術和產品,包括HBM3E「Shinebolt」、LPDDR5X CAMM2和可拆卸的AutoSSD,以加速包括雲端、邊緣設備和汽車未來應用的技術進步。

三星宣布,推出名為「Shinebolt」的新一代HBM3E DRAM,面向下一代人工智慧應用,提高總擁有成本(TCO),並加快數據中心的人工智慧模型訓練和推理速度。

三星推出HBM3E「Shinebolt」:面向下一代人工智慧應用

HBM3E每引腳速度為9.8GB/s,意味著總帶寬超過了1.2TB/s。為了實現更高堆疊層數和改善熱特性,三星優化了非導電膜(NCF)技術,以消除晶片層之間的間隙,最大限度地提高導熱性。目前採用8層和12層堆疊方案的HBM3已經開始批量生產,HBM3E的樣品也正在向客戶發貨。三星還打算利用其整體半導體解決方案提供商的優勢,提供結合下一代HBM、先進封裝技術和代工產品的定製服務。

除了HBM3E外,本次發布會的其他重點產品還包括了業界最高容量的32Gb DDR5 DRAM、業界首款32Gbps GDDR7、以及能顯著提升伺服器應用存儲能力的PB級別PBSSD。另外還展示了7.5Gbps的LPDDR5X CAMM21、9.6Gbps的LPDDR5X DRAM、專門用於設備上人工智慧的LLW2 DRAM、下一代UFS、以及用於個人電腦的QLC SSD BM9C1。

來源:超能網