上個月，SK海力士宣布與台積電（TSMC）簽署了諒解備忘錄（MOU），雙方就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術密切合作。SK海力士計劃與台積電合作開發第六代HBM產品，也就是HBM4。據了解，台積電將生產用於HBM4的基礎裸片（Base Die），這是雙方針對搭載於HBM封裝內最底層的基礎裸片優化工作的一部分。
據AnandTech報導，台積電在近日舉辦的2024歐洲技術研討會上表示，將採用N5和N12FFC+工藝製造基礎裸片，為HBM4提供前所未有的性能和能源效率。台積電稱，正在與主要的HBM記憶體合作夥伴聯手，在先進位程上實現HBM4的全堆棧集成，其中N12FFC+工藝可以在滿足性能要求下具備成本優勢，N5工藝則可以在更低功耗下達到HBM4預期的速度。
N5是目前最先進的製程工藝之一，用於製造最好的CPU和GPU，現在用到存儲器上屬於一件大事，比起之前傳言中採用的N7工藝更為先進。利用N5工藝，可以將更多的邏輯和功能封裝到HBM4的基礎裸片里，並實現非常精細的互連間距，這對於邏輯晶片上的直接鍵合至關重要，從而提高人工智慧（AI）和高性能（HPC）所需的記憶體性能。N12FFC+工藝源自台積電非常成熟的16nm FinFET技術，製造的HBM4基礎裸片可用於構建12層及16層堆棧，分別提供48GB和64GB的容量，比起N5工藝更具性價比。
此外，台積電還在優化CoWoS-L和CoWoS-R封裝技術，以支持HBM4集成。按照SK海力士和台積電的計劃，HBM4預計在2026年投產。
來源：超能網
