今天JEDEC發布了HBM3高帶寬記憶體標準，相比現有的HBM2和HBM2e標準有大幅的提升。這個新的HBM記憶體標準版本為JESD238 HBM3，目前相關技術文檔已經可以從JEDEC下載。
JEDEC表示，HBM3是一種創新的方法，是更高帶寬、更低功耗和單位面積容量的解決方案，對於高數據處理速率要求的應用場景來說至關重要，比如圖形處理和高性能計算的伺服器。新一代HBM3記憶體主要屬性包括：
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將經過驗證的HBM2架構擴展到更高的帶寬，將HBM2的每引腳數據速率提高一倍，並定義高達6.4 Gb/s的數據傳輸速率，相當於819GB/s。
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將獨立通道的數量從HBM2的8個增加到16個，每個通道有兩個偽通道，HBM3實際上支持32個通道。
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支持4層、8層和12層TSV堆棧，並為未來擴展至16層TSV堆棧做好准備。
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支持單層8Gb到32Gb的存儲密度，意味著容量從4GB（4層8Gb）到64GB（16層32Gb），預計第一代HBM3設備將基於單層16Gb。
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為了滿足市場對高級平台RAS（可靠性、可用性、可維護性）的需求，HBM3引入了片上糾錯技術（ECC），以及實時錯誤報告和透明度。
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通過在主機接口上使用低擺幅（0.4V）信號和較低 （1.1V）工作電壓來提高能效。
技術營銷總監兼JEDEC HBM小組委員會主席Barry Wagner表示，憑借HBM3記憶體更強的性能和可靠性，將對需要海量記憶體帶寬和容量的新應用提供有力的支持。此外，美光、SK海力士和Synopsys等企業的負責人也對HBM3記憶體標準的發布感到高興。
在去年10月份，SK海力士已宣布成功開發出了HBM3記憶體，成為全球首家開發出新一代HBM記憶體的公司。SK海力士提供了兩種容量，一個是12層矽通孔技術垂直堆疊的24GB，另一個則是8層堆疊的16GB，均提供819 GB/s的帶寬，前者的晶片高度也僅為30微米。
來源：超能網
