SK海力士宣布，已經完成了現有DRAM中最為微細化的1bnm（第五代10nm級別）的技術研發，並將適用其技術的DDR5伺服器DRAM開始了「英特爾數據中心存儲器認證程序（The Intel Data Center Certified memory program）」，這是英特爾第四代至強可擴展平台（代號Sapphire Rapids）所採用的存儲器產品兼容性的正式認證流程。
這次SK海力士提供的DDR5 DRAM產品運行速度為6.4Gbps，也是同類產品里速率最高的，與初期的試製品相比，數據處理速度提高了33%。其採用了HKMG（High-K Metal Gate）工藝，相比1αnm（第四代10nm級別）工藝的產品，功耗降低了20%。
SK海力士表示，1bnm工藝技術的成功研發，意味著可以向全球客戶供應高性能與高效能功耗比兼備的DRAM產品。SK海力士希望今年開始量產最先進的1bnm工藝技術產品，以業界最高DRAM競爭力水平改善今年下半年業績。此外，SK海力士還打算將1bnm工藝技術擴展到LPDDR5T、HBM3E等高性能產品。
近期SK海力士的財務狀況並不好，上個月公布的2023財年第一財季財務報告顯示，因存儲器半導體市場持續低迷，需求疲軟和產品價格下跌，該季度營收環比減少，且營業虧損加大。為此SK海力士決定以DDR5伺服器DRAM和HBM等高性能DRAM、採用176層NAND的SSD、uMCP產品為中心的銷售，以提升營業收入。
來源：超能網
