前不久東芝/西數、英特爾都宣布了新一代NAND工廠建成，主要生產96層3D NAND快閃記憶體，現在SK Hynix的新快閃記憶體工廠M15也來了，明天也就是10月4日就會舉行竣工典禮，初期生產72層堆棧的3D NAND快閃記憶體，但是明年初就會轉向96層堆棧3D NAND快閃記憶體。M15是SK Hynix前幾年宣布的「十年46萬億投資」計劃中的一部分，M15工廠主要生產3D NAND快閃記憶體，2020年還會有M16工廠建成，主要生產DRAM記憶體。
早在2015年8月份的時候，SK Hynix在當時全球最大的存儲晶片工廠M14落成時宣布了46萬億韓元（當時約合382億美元）的十年期投資計劃，M14工廠位於韓國利川市，主要生產DRAM記憶體，投資15萬億韓元，而在忠清南道的清州市還會建設一座3D NAND工廠M15，利川市未來還會再建設M16工廠，主要生產DRAM晶片。
來自韓國媒體的報導稱，清州市的M15工廠將在10月4日舉行竣工典禮，總投資高達15萬億韓元，約合135億美元。初期將生產現在的72層堆棧3D NAND，不過明年初就會轉向96層堆棧的3D NAND快閃記憶體，後者是目前最新一代的3D NAND技術，與72層NAND快閃記憶體相比，在速度、容量及能效方面提升了30-40%。
隨著全球NAND快閃記憶體的需求增長，主要的廠商都在加大對NAND快閃記憶體的投資。三星在中國西安投資70億美元建設了第二座NAND工廠，預計明年底在西安開始生產48層到64層堆棧的NAND快閃記憶體。東芝最近在日本建立了類似的NAND工廠，YMTC長江存儲完成了32層NAND快閃記憶體的開發，計劃今年底開始生產。
對SK Hynix公司來說，M15工廠的建成也有助於他們減少對DRAM記憶體的依賴性，今年Q2季度該公司占據全球DRAM記憶體市場份額的29.6%，NAND快閃記憶體市場排名第四，份額為11.1%，去年DRAM記憶體占了公司利潤額的90%。
來源：超能網
