2022年本來該是半導體工藝轉向3nm量產的一年，然而今年台積電低調了許多，三星搶在6月份就宣布率先3nm工藝，搶走了名義上的3nm首發，台積電早前提到的9月份量產早已無效，官方承諾的是年底。
距離2022年還剩下最後幾天了，台積電總算兌現了承諾，日前公司發布邀請函，下周將在南科舉辦量產暨擴廠典禮，屆時會正式量產3nm工藝。
這個時間點宣布量產，2022年的3nm產量可以忽略不記，只是讓台積電兌現今年量產3nm的承諾，真正有產品放量還要到2023年。
台積電之前公布了至少5種3nm工藝，現在還不好確定即將量產的是N3還是N3E，前者此前有爆料稱已經被放棄，因為成本太高，蘋果也不用了，導致沒有客戶，量產沒有意義。
根據台積電說法，對比N5工藝，N3功耗可降低約25-30％，性能可提升10-15％，電晶體密度提升約70％。
但是N3工藝實際的表現不一定有這麼好，前不久在IEDM 2022大會上，台積電論文種公布了3nm下SRAM的真實密度，表現讓人很擔心。
3工藝的SRAM單元的面積為0.0199平方微米，相比於N5工藝的0.021平方微米只縮小了區區5％！
更糟糕的是，所謂的第二代3nm工藝N3E，SRAM單元面積為0.021平方微米，跟N5工藝毫無差別。
台積電這樣擠牙膏的提升，讓Intel有了追趕回來的機會，雖然3nm的SRAM密度還是要比Intel的10nm ESF（現在的Intel 7）高不少，但跟Intel的7nm EUV工藝（現在的Intel 4）相差無幾。
台積電在下一代的2nm工藝上電晶體密度提升更少，官方數據也不過10%-20%，解釋很容易就被Intel的20A、18A工藝超越了。
來源：快科技
