去年末，ASML向英特爾交付了業界首台High-NA EUV光刻機，從荷蘭的費爾德霍芬運送到美國俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾半導體技術研發基地，並在接下來的幾個月內完成安裝。據了解，每台High-NA EUV光刻機的成本約在3到4億美元。
近日SemiAnalysis的分析師表示，半導體製造商使用ASML新一代High-NA EUV光刻機在財務上意義不大。對於這種說法，ASML毫無疑問不會同意的，在接受Bits and Chips采訪時，ASML首次財務官Roger Dassen對於SemiAnalysis的進行了回擊。
Roger Dassen認為SemiAnalysis低估了High-NA EUV光刻機的好處，可以避免製造上雙重或四重曝光帶來的復雜性，只需要向英特爾了解一下就能明白了，稱新技術在邏輯和存儲晶片方面是最具成本效益的解決方案。從這點可以理解，錯過了EUV機遇的英特爾，為什麼最早下單High-NA EUV光刻設備。
具有高數值孔徑的新型High-NA EUV系統可提供0.55數值孔徑，與此前配備0.33數值孔徑透鏡的EUV系統相比，精度會有所提高，可以實現更高解析度的圖案化，以實現更小的電晶體特徵，同時每小時能生產超過200片晶圓。晶圓代工廠顯然了解使用High-NA EUV光刻機的利弊，ASML表示客戶已在2024年至2025年開始研發工作，並在2025年至2026年間進入大規模生產階段。
來源：超能網
