原廠積極擴張HBM記憶體產能,預計2024年出貨量增長105%

近日,行業研究機構TrendForce發布了最新的市場調查報告,顯示由於英偉達AI GPU及其他雲端服務商自研晶片增加訂單,存儲器原廠正積極擴大TSV產線,以提高HBM記憶體的產能,預計2024年HBM出貨量將增長105%。

原廠積極擴張HBM記憶體產能,預計2024年出貨量增長105%

據分析,2023年至2024年為AI爆發期,AI晶片集中了大量的需求,並推動了HBM記憶體使用量拉升。存儲器原廠此刻正在面臨HBM擴產的抉擇,一方面需要滿足客戶的需求並擴大市場占有率,另一方面又但系過度擴產導致供過於求無法平衡價格。過去數年的半導體供應轉變讓存儲器供應商明白了一點,在買方預期可能缺貨的情況下,需求量隱含了超額下單的風險。

原廠積極擴張HBM記憶體產能,預計2024年出貨量增長105%

TrendForce指出,2023年市場主流需求已經從HBM2e轉向HBM3,需求比重預期分別為50%和39%。隨著HBM3大規模普通,2024年將出現大幅度轉向,直接超越HBM2e,比重達到60%。同時得益於HBM3更高的平均銷售價格(ASP),將帶動明年HBM營收顯著增長。

原廠積極擴張HBM記憶體產能,預計2024年出貨量增長105%

目前SK海力士的HBM3領先於其他供應商,主要負責向英偉達提供產品;三星著重於滿足雲端服務者的訂單,縮小了與SK海力士之間的市場占有率差距;相比於SK海力士和三星規劃擴產,美光重點放在了HBM3e的開發上,預計市場占有率會下降。TrendForce預計2023年至2024年,SK海力士和三星兩者相加將占有約95%的市場份額。

來源:超能網