Tag: 快閃記憶體

對於想要抄底買記憶體的大家來說，可以適當的考慮了，因為現貨價格下跌速度已經放緩了。 據《電子時報》報導，11月主流 8Gb和16Gb DDR4晶片現貨價格下跌0.7-1.5%，而10月的平均跌幅為7%，11月3D TLC NAND快閃記憶體晶片現貨價格跌幅同樣較上月趨緩，SLC和MLC NAND晶片價格已停止下跌。 消息人士指出，為保持價格穩定，上游晶片供應商對明年的產能擴張保持謹慎，使得現貨市場的供應商能夠協商出更好的價格。據消息人士稱，2022年DRAM整體位供應量預計將增加約5%。 同時，出於盈利考慮，晶片供應商正尋求將更多用於低密度商品DRAM記憶體的可用產能轉移至CMOS圖像傳感器的製造，同時啟動DDR6記憶體研發。 該消息人士稱，盡管渠道零售商和分銷商對2022年第一季度的需求前景仍然悲觀，但在2月中旬之後，需求的可見度有可能變得更加清晰。 來源：快科技

作為全球NAND快閃記憶體市場的一哥，三星在3D快閃記憶體上又要領先其他廠商了，日前在三星技術論壇上，三星公布了第八代V-NAND的細節，堆棧層數超過200層，容量可達1Tbit，512GB容量的厚度也只有0.8mm，可用於手機。 三星的V-NAND快閃記憶體現在演員發展到了第七代V-NAND V7，堆棧層數176層，TLC版核心容量512Gbit，而即將推出的V-NAND V8層數將超過200——三星沒提到具體多少層，但之前的報導中指出是228層，提升30%左右，存儲密度提升了40%左右。 V-NAND V8快閃記憶體的單顆核心容量也從之前的512Gbit翻倍到了1Tbit，同時性能也更強，IO接口速率從2Gbps提升到了2.4Gbps，性能更適配最新的PCIe 5.0標準。 得益於存儲容量更大. V-NAND V8快閃記憶體的厚度依然可以控制在合理水平，封裝512GB容量也不超過0.8mm，可以用於新一代智慧型手機。 在未來，三星的V-NAND快閃記憶體堆棧層數還會進一步提升，路線圖中的目標是超過500層，這被視為3D快閃記憶體的極限，不過三星還在想法突破，最終能製造1000層堆棧的3D快閃記憶體。 來源：快科技

在2016年斥資180億美元收購閃迪進軍快閃記憶體市場之後，前不久又有傳聞稱西數准備花200億美元收購鎧俠公司，合並之後有望超越三星成為最大的快閃記憶體供應商。 鎧俠就是原來東芝旗下的東芝存儲（TMC），在出售掉60%股份給資本機構之後，東芝存儲不能再使用東芝品牌，去年全面改名為鎧俠（Koxia），目前是全球第二大快閃記憶體供應商，也是西數的合作夥伴，雙方共享技術研發及工廠生產。 不過雙方的合作中，鎧俠總體上占據主導地位，技術及生產主要位於日本，這也是日本僅存的存儲晶片廠商之一，因此西數收購鎧俠面臨的阻力也很大。 如果西數再將鎧俠收購，那麼西數將一躍升級為全球第一大快閃記憶體廠，35%左右的份額略微超過三星，最低也是跟三星旗鼓相當。 但是日本方面並不會輕易允許這麼重要的公司賣給外人，日前負責日本半導體工作的代表人員透露了他們的態度，「不能讓一切都被美國帶走，如果鎧俠要與美國公司建立聯系，那麼至少要在兩國擁有平等的運營基地。」 從這一表態來看，日本方面也不希望鎧俠這樣重要的公司輕易被美國拿下，能接受的條件就是不能丟了日本的運營，至少也要跟美國方面平等。 來源：快科技

前有NVIDIA公司400億美元收購ARM公司，現在美國西數又准備收購鎧俠，預計交易金額不低於200億美元，這一收購也會改變快閃記憶體市場格局。 此前全球快閃記憶體主要掌握在六大原廠中，分別是西數、東芝、閃迪、SK海力士、美光及Intel，其中閃迪已經被西數吞下，東芝出售60%股權後x現在變成了鎧俠，Intel去年將快閃記憶體業務打包90億美元賣給SK海力士，競爭力量從6個減少到5個。 如果西數再將鎧俠收購，那麼西數將一躍升級為全球第一大快閃記憶體廠，35%左右的份額略微超過三星，最低也是跟三星旗鼓相當。 然而這起收購也面臨著巨大的審批壓力，首先是日本人這一關就不好過，因為鎧俠可以說是日本存儲晶片僅剩的獨苗了，日本政府現在希望重振半導體產業，鎧俠被外國人收購之後將是一個重大打擊。 除了日本的審核監管之外，中國的意見也極為重要，顯而易見這次交易也不容易獲批，邏輯跟NVIDIA收購ARM是一樣的。 來源：快科技

研究機構的報告顯示，在需求強勁及平均銷售價格上漲的推動下，二季度全球NAND快閃記憶體的銷售額，也繼續增長，達到了164億美元。從研究機構的數據來看，今年一季度全球NAND快閃記憶體的銷售額為148億美元，二季度的164億美元，較之增加16億美元，環比增長10.8%。 研究機構在報告中表示，二季度全球NAND快閃記憶體的銷售額環比繼續增長，首先是得益於需求的增加，筆記本電腦和數據中心對NAND快閃記憶體和企業級固態硬碟的需求持續強勁。 而在強勁需求的推動下，NAND快閃記憶體的平均銷售價格，環比也上漲了近7%。在需求持續強勁與平均售價上漲雙重因素的推動下，二季度全球NAND快閃記憶體的銷售額，自然也就會增加。 研究機構還預計，數據中心與筆記本電腦領域的強勁需求，將持續到三季度，三季度全球NAND快閃記憶體的銷售額不僅會環比增長，還將創下新高。 來源：cnBeta

在 COVID-19 持續大流行的情況下，人們也開始越來越注重保持各種貼身物品的衛生清潔。近日，知名存儲廠商威寶（Verbatim），也宣布了要與妙抗保（Microban）攜手開發抗菌 USB 快閃記憶體驅動器的消息。得益於輕巧便攜的設計和經濟高效的特性，USB 快閃記憶體驅動器已成為許多用戶首選的跨設備數據交換介質。 （來自：Verbatim） 然而這也引發了一些潛在的衛生問題，如果放任 USB 快閃記憶體驅動器，其外殼就會粘上一些微生物。而且就算定期消毒，細菌也會在兩次清理的中間時段滋生。 為化解這方面的尷尬，Verbatim 選擇了與抗菌、氣味控制與消毒產品大廠 Microban 合作開發新品。 通過將 Microban 的抗菌技術集成到 Verbatim 的 USB 快閃記憶體驅動器外殼上，即可長期有效地抑制微生物的滋長。 Verbatim 快閃記憶體產品經理 Matthew Toms 表示：「Microban 是抗菌產品的行業領導者，考慮到 USB...

相信應該有不少人都記得在我們之前推出的一期SSD橫評視頻里面，提到了那次測試所用的SN350 960GB版本是用的TLC顆粒。不過由於西數（Western Digital）一直都沒有說明SN 350 SSD是用的什麼快閃記憶體，因此也引來了不少讀者朋友的熱烈討論。不過現在，西數終於更新了他們有關SN 350的文檔，而里面就標示了SN 350 960GB版本的SSD，所使用的就是TLC快閃記憶體。 在這份更新過的文檔中，可以看到SN 350 1TB以及2TB的版本，所使用的確實是QLC快閃記憶體，但是在960GB的這個版本下，則是標示了使用TLC快閃記憶體。不過有趣的是，使用TLC快閃記憶體的SN 350 960GB官方為其標示的TBW為80TBW，比起使用QLC的SN 350 1TB的要稍為低一點。 之前我們在使用SN 350 960GB版本作為測試時，也是發現了這個SSD的緩外速度378MB/s，因而推測SN 350 960GB所使用的並非是QLC快閃記憶體，因為目前也是沒有QLC可以達到這樣的緩外速度。 另外一點有趣的是，最近西數的SN 550藍盤被證實是有更換快閃記憶體的行為，使得新批次SN 550 1TB的緩外平均寫入速度只有390 MB/s左右，與SN 350 960GB的非常接近，這一下子似乎會讓人覺得SN...

全球記憶體、快閃記憶體晶片市場價值超過1000億美元，基本上被美日韓公司壟斷，三星、SK海力士、美光三家公司就占了全球記憶體95%的份額。 在過去的兩年中，中國公司也開始加入存儲晶片市場，長江存儲、合肥長鑫在2019年下半年分別量產了3D快閃記憶體及記憶體晶片，現在還在加速追趕中，不過技術及產能上跟全球巨頭還有很大的差距。 對於中國公司加入競爭，美光是怎麼看的呢？該公司是全球僅有的三家同時能生產記憶體及快閃記憶體晶片的巨頭之一。 美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中表示，不會低估中國的競爭對手及其發展，不過美光會聚焦在推動自己的技術發展進程。 美光表示，要進入存儲晶片市場的門檻相當高，新進業者生產技術不僅要維持領先，還要能夠大規模量產，在符合成本效益之際還能滿足多元需求。 因此，由美光角度來看，記憶體廠要很長的時間累積專業經驗、擴大生產及研發量能才會成功。 Sanjay Mehrotra還提到了中國市場的重要性，稱中國市場無論對美光或是整個半導體產業而言都至關重要，美光與位於中國的生態系業者和客戶都維持穩健的關系。 美光表示，美光在市場中的穩健地位來自於產品跟技術，以及非常大量的智慧財產權，美光目前擁有45000個以上的智慧財產權專利，已經站穩陣腳並准備好迎接新的挑戰。 來源：快科技

鎧俠（Kioxia）剛剛宣布了面向嵌入式設備的新一代 256 / 512GB UFS 快閃記憶體樣品，特點是採用了 0.8 和 1.0 毫米高度的封裝。除了較上一代產品更薄，得益於鎧俠面向各種移動應用的最新高性能 BiCS FLASH 3D NAND 技術，其隨機讀取 / 寫入速度也分別提升了 30% / 40% 。 使用嵌入式快閃記憶體的大量功耗 / 空間敏感型應用程式，對存儲性能與密度的要求也相當之高，於是...

7月30日上午消息，美光宣布開始批量出貨全球首款基於176層分立式技術的UFS 3.1快閃記憶體產品，主要面向5G高端手機。性能方面，官稱比前代96層堆疊產品提升了75%的順序寫入和隨機讀取性能提升，只需9.6秒即可下載一部2小時、14GB的4K電影，換算傳輸速度接近1.5GB/s。 在混合工作負載場景中，性能提升了15%，響應延遲縮短約10%，可使得手機啟動和切換應用速度更快，保障流暢度。 容量上，提供128GB、256GB和512GB。 說到這兒，恐怕有用戶擔心可靠性。按照美光的說法，176層的總寫入字節數比上代96層產品高出一倍，這意味著可存儲之前兩倍的總數據量，而不會損害設備的可靠性。即使是重度手機用戶，也會發現智慧型手機的使用壽命大幅提升。 據悉，定於8月12日發布榮耀Magic 3將率先搭載美光176層UFS 3.1快閃記憶體。 來源：cnBeta

在Chia硬碟礦熱度降低之後，5月份大漲的SSD硬碟價格也回落到正常水平了，1TB價格普遍在千元內。然而好景不長，SSD硬碟馬上又要遇到另一個挑戰了，這次是快閃記憶體主控晶片缺貨，28nm的產品更緊張，有可能推動SSD價格上漲。 來自供應鏈的消息稱，NAND快閃記憶體主控晶片產能缺貨將持續到2022年底，預計缺口高達20-30%，特別是28nm成熟工藝的主控晶片供應最緊張。 SSD快閃記憶體主控晶片不需要太高端的製程，現在還有大量40nm工藝的主控晶片在用，更先進的PCIe 4.0主控倒是用上了16nm，未來PCIe 5.0主控甚至會用上7nm工藝，不過PCIe 3.0、SATA接口的主控晶片仍以28nm為主，畢竟成本、性能、功耗是目前最均衡的。 全球28nm代工產能主要集中在台積電、聯電及中芯國際三大廠商中，其中台積電規劃積極擴大成熟製程的28nm產能，預計未來2-3年，28nm總產能每月可望擴增10萬到15萬片。 聯電今年5月宣布了價值36億美元的投資計劃，該計劃將用於提高其28nm製程晶片的產量。 中芯國際也在積極擴產28nm工藝，先後在北京、深圳成立了多個成熟工藝項目，總投資高達653億元，約合100億美元。 來源：快科技

宜鼎國際(Innodisk)宣布，推出SATA 3TG6-P和3TE7系列SSD產品線，其中一個產品線採用了112層3D TLC NAND工業級快閃記憶體晶片，容量最高可達8TB。 從規格上來看，該硬碟使用了NVME 1.4版本協議，支持PCIe 4.0 x4，順序讀寫最高速度可達7500/6700 MB/ (8CH) 和 3800/3000 MB/ (4CH)。 這兩款SSD都具備ECC糾錯以及LDPC功能，內置iDataGuard和iPowerGuard，不但增強了提高安全性，還可以預防斷電導致數據丟失。 官方介紹，這類產品是用來滿足5G、邊緣計算、深度學習、智能監控和智能醫療領域不斷增長的需求。 官方表示，此前96層NAND晶片最大隻能做到2TB，而最新的112層晶片可以使得存儲容量更大，速度更快，是目前業界最高的規格。 上述產品於今年第三季度向全球客戶量產發售。 來源：快科技

固態硬碟越來越便宜的情況下，你的電腦要是沒有一塊SSD，你都不好意思跟人打招呼。但是對於SSD怎麼選，看著SLC/MLC/TLC/QLC可能很多人丈二和尚摸不著頭腦，別急，下面筆者就帶你走上DIY從入門到放棄之路。 心心念念的SSD還得懂一點顆粒知識 先來簡單介紹一下SSD的結構，不管是SATA形式還是M.2形式，甚至PCI-E形式，其主要部件都是主控晶片、緩存晶片（小容量SSD不必備）和存儲顆粒。我們經常提到的SLC/MLC/TLC/QLC說的就是存儲顆粒的不同種類。 不同顆粒的存儲信息不同 SLC：Single-Level Cell（單層存儲單元），每個Cell單元只存儲1bit信息，也就是只有0、1兩種電壓變化，結構簡單，電壓控制也快速，其特點就是壽命長，性能強，P/E壽命在1萬到10萬次之間。 MLC：Multi-Level Cell（多層存儲單元），原用於對應SLC，本意可以包含2層以上的Cell，但出於習慣和方便區分，一般指代雙層存儲，每個cell單元存儲2bit信息，電壓有000，01，10，11四種變化，但電壓控制復雜一些，寫入性能也隨之降低，P/E壽命在3000-10000次左右。 三星的3D TLC顆粒 TLC：Trinary-Level Cell（三層存儲單元），每個cell單元存儲3bit信息，電壓從000到111有8種變化，容量比MLC更大，但控制更復雜，速度也更慢，P/E壽命在1000-3000次左右。 QLC：Quad-Level Cell（四層存儲單元），同理每個單元存儲4bit信息，電壓從0000到1111有16種變化，寫入性能會進一步降低，P/E壽命也進一步減少至1000次左右。 價格從左到右變低，性能也是從左到右變低（圖片源自鎂光） 單純看字母很難區分誰是誰，那有沒有什麼方法記住他們呢？S代表single（單）很好說，M代表multi-（多）也很簡單，而T和Q則可以用遊戲中的Triple kill（三殺）和Quadro kill（四殺）來記憶，這樣是不是就簡單多了？ 記住這個順序有什麼用呢？從SLC、MLC、TLC和QLC按照順序其寫入性能逐漸降低（但仍然比機械硬碟高），P/E壽命也逐個減少，但是帶來的好處是容量大幅提升，成本大幅降低。 高端SSD會搭載更好的顆粒 一般來說，越高端的SSD使用的顆粒層數越少，可以提供更快的讀寫速度，更長的P/E壽命，當然價格也更貴，總體上還是一分價錢一分貨的。 可能有的玩家認為QLC的1000次P/E壽命太短，且寫入速度不如其他顆粒，QLC顆粒的SSD就不值得買了，實則不然，SSD顆粒的選擇還是和使用場景有關的，同樣也要受限於預算。 不同使用場景的需求也有區別 如果日常辦公和輕度娛樂，更注重於快的開機和反應速度，那麼QLC的固態使用起來不會有什麼問題，合格的QLC仍然是機械硬碟的升級替代產品。 但如果是重度遊戲玩家，或者注重於生產力，那麼TLC甚至MLC才是應該選擇的SSD顆粒。 相對於顆粒的類型，我們也應該關注的是SSD的品牌，另外，產品的質保（包括使用時長質保和寫入容量質保）也應該納入考慮范圍，畢竟顆粒的所有優勢都建立在沒有虛標，也沒有使用黑片或回收顆粒的前提下。 來源：快科技

存儲晶片中，NAND快閃記憶體晶片的市場價值僅次於DRAM記憶體，此前全球有6大快閃記憶體原廠，不過現在手機快閃記憶體市場悄然開始洗牌，三星以49%的份額繼續霸占第一，SK海力士則超越鎧俠成為第二。 現在我們所用的NAND快閃記憶體是鎧俠前身東芝存儲在上世紀80年代末發明的，此前東芝存儲也是全球快閃記憶體一哥，然而很快就被三星超越，最近幾年都是全球第二。 不過在手機快閃記憶體市場上，鎧俠現在SK海力士超越了，Q1季度中市場份額只有19%，而SK海力士則拿下20%的份額，晉升為新的第二。 不過這兩家加起來也不夠三星一個能打，手機快閃記憶體市場上三星拿下了42%的份額，遙遙領先其他對手。 SK海力士要想在整個NAND快閃記憶體市場上超越鎧俠也不是沒機會，去年該公司斥資90億美元收購了Intel快閃記憶體業務，兩家合並之後快閃記憶體份額能超過20%以上，與鎧俠份額非常接近，趕超鎧俠指日可待。 在存儲晶片市場上，不論快閃記憶體還是記憶體，韓國三星+SK海力士的份額都是越來越高了，日本、美國公司逐漸被碾壓，越來越沒法打了。 來源：快科技

十銓（TeamGroup）剛剛發布了三款 USB 3.2 快閃記憶體檔，分屬於 C212 極速、M211 OTG、以及 C211 系列。其中 C212 Extreme Speed 擁有高達 1TB 的容量，M211 OTG 配備了可靈活變通的雙接口，而 C211 採用了緊湊優雅的外形設計。無論是注重速度、容量、效率、或是便利性，三款產品都能夠很好地迎合消費者的實際需求。 在視聽數據占據了越來越大的存儲空間的新世界，USB 3.2 Gen 2 高速埠能夠讓 1TB...

西數日前發布了新一代UFS 3.1快閃記憶體——iNAND MC EU551系列，主要針對最新的5G手機，最大容量512GB，寫入速度可達1550MB/。 IDC預計2021年5G手機將占全球出貨量的40%，2025年進一步提升到69%的比例，隨著網絡速度的提升，5G手機對存儲容量、性能的要求也會提高，特別是VR/AR、遊戲及8K視頻等應用的普及。 西數推出的iNAND MC EU551是他們的第二代UFS 3.1快閃記憶體，採用了最新的快閃記憶體，專為5G旗艦手機、平板設計，支持UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4， 2-Lanee，支持rite Booster 和 Host Performance Booster 2.0，寫入速度可達1550MB/，性能與桌面NVMe硬碟有得一拼了。 容量方面，iNAND MC EU551系列有128、256及512GB三種，預計今年7月份開始上市，下半年的5G旗艦有望搭載，不過售價沒公布。 來源：快科技

Patriot記憶體公司今天發布了其最快的存儲設備，它被歸類為USB快閃記憶體驅動器（而不是可攜式SSD）。Supersonic Rage Prime 3.2 Gen 2尺寸為1厘米x 2.1厘米x 5.3厘米（長x寬x高），重8.2克，採用USB 3.2 Gen 2 type-A接口，有一個滑出式接口。 這款U盤有250GB、500GB和1TB三種容量，並利用10Gbps USB 3.2 Gen 2的優勢，提供高達600MB/s的連續傳輸率，與SATA SSD相當。 除了速度提升外，由於外形小巧，用戶可以得到USB快閃記憶體驅動器的所有便攜性和兼容性優勢，它與Windows、Linux和MacOS繼續保持即插即用的兼容性。 Patriot為這些U盤產品提供了5年的質保。250GB型號的價格為48.79歐元，500GB型號的價格為88.90歐元，1TB型號的價格為167.90歐元。 來源：cnBeta

在快閃記憶體類型上，大家都知道SLC快閃記憶體性能、可靠性是最好的，但是它的成本是最貴的，所以現在主流的是TLC、QLC快閃記憶體了，連MLC快閃記憶體都很罕見了。Cervoz公司日前推出了一種RO-MLC快閃記憶體，可靠性、成本都很有優勢。 Cervoz是一家專業做工業及嵌入式產品的公司，成立於2006年，產品主要是工業級的存儲及快閃記憶體，還有DRAM記憶體等，在全球都有客戶，特別是工業4.0、軍工、國防、車載電子、電信網絡等等。 他們推出的RO-MLC全名為Reliability-Optimized MLC，意為可靠性優化的MLC快閃記憶體，本質也是MLC快閃記憶體，但自己開發了特殊的固件，可以讓它以模擬SLC快閃記憶體的方式運作，所以容量也會減半，但提高了可靠性、耐用性。 根據他們公布的數據，RO-MLC快閃記憶體的P/E壽命可達20000次，雖然與SLC的60000次還有不少距離，但比MLC的3000次好太多了。 性能方面，RO-MLC快閃記憶體的讀取可達520MB/，寫入470MB/，前者比SLC/MLC沒好多少，但寫入性能高於SLC，是MLC快閃記憶體的兩倍。 其他方面，RO-MLC快閃記憶體數據保持能力是MLC的5倍，可靠性是10倍，成本則是SLC快閃記憶體的1/4-1/6。 總之，這種模擬SLC快閃記憶體的RO-MLC當然比不上真正的SLC快閃記憶體，但綜合壽命、性能、成本來說，還是要比MLC好（成本也會更貴，他們不說而已），適合對可靠性要求比較高的領域。 來源：快科技

據知情人士稱，全球第二大快閃記憶體晶片製造商鎧俠控股（前身是東芝存儲器）計劃最早今年9月進行首次公開募股（IPO）。鎧俠去年擱置了發行至多3343億日元（約合30億美元）股票的計劃，這原本將是2020年日本最大規模的IPO。 資料圖（來自：Kioxia 官網） 消息人士稱，東京證交所預計將於7月批准鎧俠的IPO計劃。 鎧俠一位發言人周四表示，該公司「打算在適當的時候進行IPO」，但拒絕進一步置評。 來源：cnBeta

NAND快閃記憶體已經從SLC、MLC發展到現在的TLC、QLC快閃記憶體為主的局面，由於技術原理不同，TLC、QLC的性能、壽命及可靠性都是在下滑的，未來還會有PLC快閃記憶體，不過它可能是最不受歡迎的快閃記憶體了。 由於PLC快閃記憶體能夠存儲5個電位，容量比QLC快閃記憶體還要再高出25%，所以幾大快閃記憶體廠商都在積極研發PLC快閃記憶體，但是P/E壽命估計會下降到百位數水平，比如500次以內。 從消費者角度來看，大家並不喜歡PLC快閃記憶體，好消息是業界對PLC快閃記憶體的問世時間也變得保守了，西數預計從QLC到PLC快閃記憶體的過程會變慢，至少2025年之前沒戲，也就是說還要再等4年。 西數認為，PLC快閃記憶體硬碟上市很重要一點還得依賴下一代的SSD主控晶片，由於PLC需要更強的糾錯能力，那主控晶片性能也要更強大，現在使用的ARM Cortex-R8內核跟不上了。 ，支持了64位指令集，最多支持8核心，還支持完整的Linux運行，DRAM緩存容量提升到1TB。 然而R82內核的新一代SSD主控要到2023年到2024年才能問世，而且首發主要用於高性能伺服器、數據中心市場，不會很快就搭配PLC快閃記憶體，所以PLC硬碟還得等。 對玩家來說，PLC玩幾年上市倒不是壞事了，一方面廠商可以繼續優化PLC快閃記憶體及主控的能力，另一方面大家也不用這麼急著就為PLC快閃記憶體糾結了。 來源：快科技

自從快閃記憶體進入3D時代，堆棧層數猶如摩天大樓一樣越來越高，從最初的24/32層一路堆到了現在的128層甚至176層。三星下一代的第八代V-NAND快閃記憶體有望超過200層，未來還可以做到1000層。 目前全球半導體晶片產能緊張，NAND快閃記憶體本身也是牛市周期，三星准備藉此機會擴大生產規模，現在韓國平澤市的存儲晶片工廠已經是全球最大的，三星計劃建設第二座平澤工廠。 在快閃記憶體技術上，三星的128層V-NAND快閃記憶體已經量產，2021年下半年則會量產第7代V-NAND快閃記憶體，堆棧層數提升到176層。 在「蓋樓」層數上，三星實際上已經落後於美光，後者在去年底就推出了176層3D快閃記憶體，並且量產了，三星現在要奮起直追了。 超越美光的希望就是再下一代的第8代V-NAND快閃記憶體，堆棧層數有望超過200層，不過三星沒公布具體情況，預計要到明年下半年才有可能量產。 至於未來的層數還能堆多高，早前有消息稱超過500層的話就會遇到難以克服的瓶頸，是當前3D堆棧的極限了，但三星的目標是希望超過1000層，這個就需要很多技術突破了。 來源：快科技

據媒體報導，產業鏈人士此前曾透露，存儲晶片的合約價格在三季度將延續增長勢頭，預計會有兩位數的增長。 而研究機構在最新的報告中也表示，存儲晶片的價格，尤其是NAND快閃記憶體和DRAM的價格，在三季度有望繼續上漲，這對在存儲晶片領域占有優勢的三星電子和SK海力士這兩大韓國廠商，將會比較有利。 從媒體的報導來看，研究機構預計NAND快閃記憶體的價格在三季度有望環比增長5%-10%，DRAM的價格則是預計環比上漲3%-8%。 存儲晶片的價格在三季度有望繼續上漲，主要是得益於強勁的需求。 研究機構在報告中就表示，由於多個領域的廠商在上半年積極增加庫存，存儲晶片供應商目前的庫存也維持在相對較低的水平，三季度伺服器存儲產品的采購預計會有提升，因而存儲晶片供應商認為沒有必要降低價格來推動銷售。 來源：快科技

三星公司日前宣布，全球首發ZNS技術的企業級硬碟PM731a系列，容量2TB、4TB，數據壽命號稱延長4倍，但具體的TBW數據沒公布。 PM731a系列硬碟主要特色就是ZNS分區技術，全稱是Zoned Namespace（分區命名空間），它提升SSD硬碟壽命的方式跟以往的技術不同，ZNS可以將SSD的寫入過程進行分組，儲存在SSD內部獨立的空間，這樣很多隨機操作也可以當做順序寫入，減少了SSD的WAF放大係數。 WAF是影響SSD壽命的關鍵指標之一，這是NAND快閃記憶體獨特的寫入原理決定的，WAF越接近1越好（有數據壓縮的時候還可以小於1），但普通SSD使用的時候是大大超過1的，有的能達到3-4甚至更多，意味著你打算在SSD中寫入1GB數據，實際上寫入的數據量是3-4GB，會加速SSD死亡。 三星ZNS硬碟提升使用壽命就是靠ZNS技術接近1的WAF實現的，官方表示壽命能延長4倍，但三星沒有公布具體的TBW數據，畢竟具體延壽要看用戶的使用情況，順序寫入量越多，ZNS的效果就越不明顯。 三星也沒有公布PM731a硬碟的詳細規格，除了2TB、4TB容量之外，其他還有就是雙接口，基於三星128層堆棧的6代V-NAND快閃記憶體，支持NVMe。 至於快閃記憶體類型，三星沒確認是TLC快閃記憶體，但官方稱下一代ZNS硬碟會使用QLC快閃記憶體，那麼PM731a系列應該是TLC沒跑了。 三星ZNS SSD硬碟預計下半年量產，具體時間和價格就沒消息了，等到上市時再來看吧。 來源：快科技

DRAMeXchange最新公布的市場調研數據顯示，5月份，記憶體價格整體穩住了，但DDR4-2133 8Gb晶片平均3.8美元的價格仍是過去17個月以來的新高。 5月份基本穩定的一個可能原因是，4月份，價格環比暴漲了26.67%，幅度創下過去51個月之最，前一次要追溯到2017年1月的35.8%漲幅。 要知道，去年1月，同樣8Gb DDR4顆粒的交易價只有2.84美元。 至於快閃記憶體顆粒（128Gb MLC為例），5月的最新成交價是4.56美元，環比持平，畢竟上月剛漲了8%。過去17個月，這也並非最高點。 不過，機構預測，PC DRAM在7月份之前還要上漲3~8%。 來源：快科技

一項新的研究發現，快閃記憶體的2D「表親」不僅速度快了大約5，000倍，而且可以存儲多個數據位，而不僅僅是零和一。 快閃記憶體驅動器，硬碟，磁帶和其他形式的非易失性存儲器即使在斷電後也可以幫助存儲數據。這些設備的主要缺點之一是它們通常很慢，通常至少需要數百微秒才能寫入數據，比易失性設備要長幾個數量級。 現在，研究人員已經開發出了非易失性存儲器，僅需幾納秒的時間即可寫入數據。這使其比商用快閃記憶體快數千倍，並且速度與大多數計算機中的動態RAM差不多。他們本月在《自然納米技術》雜誌上在線詳細介紹了他們的發現。 新設備由原子薄的二維材料層組成。先前的研究發現，當兩層或更多層不同材料的原子薄層彼此疊置以形成所謂的異質結構時，就會出現新的雜化性質。這些層通常通過稱為 van der Waals interactions的弱電保持在一起，該力通常會使tapes 粘在一起。 中國科學院物理研究所的科學家及其同事指出，矽基存儲器的速度最終受到限制，因為超薄矽膜上不可避免的缺陷會降低性能。他們認為，原子上平坦的van der Waals異質結構可以避免此類問題。 研究人員製造了van der Waals異質結構，該結構由硒化銦（indium selenide）半導體層，六方氮化硼（hexagonal boron nitride）絕緣層和位於二氧化矽和矽晶圓頂部的多個導電石墨烯層組成。僅持續21納秒的電壓脈沖可以將電荷注入石墨烯以寫入或擦除數據。這些脈沖的強度與商用快閃記憶體中用於寫入和擦除的脈沖的強度大致相同。 除了速度之外，這種新存儲器的一個關鍵特性是可以進行多位存儲。常規的存儲設備可以通過在例如高導電狀態和低導電狀態之間切換來存儲零或一的數據位。研究人員指出，他們的新設備理論上可以存儲具有多種電狀態的多個數據位，每種狀態均使用不同的電壓脈沖序列進行寫入和擦除。 賓夕法尼亞大學的電氣工程師Deep Jariwala表示：「當單個設備可以存儲更多信息時，存儲功能將變得更加強大，它有助於構建越來越密集的存儲體系結構。」 科學家們預計他們的設備可以存儲10年的數據。他們指出，另一個中國小組最近通過由二硫化鉬（molybdenum disulfide），六方氮化硼（hexagonal boron nitride）和多層石墨烯製成的van der Waals異質結構也取得了類似的結果。 現在的主要問題是研究人員是否可以商業規模生產這種設備。「這是大多數此類設備的致命弱點，」 Jariwala說。「在實際應用中，可微縮性以及將這些設備集成到矽處理器之上的能力確實是具有挑戰性的問題。」 來源：快科技

2020年10月，英特爾宣布以90億美元的價格，將旗下NAND快閃記憶體業務出售給SK海力士，震驚業界。 但事實上，與其說是出售，不如說換個方式獨立運營，英特爾並未放棄對於NAND快閃記憶體的投入，仍然持續推進相關產品和技術，去年12月就全球首發了144層堆疊的QLC，以及多款相關產品，涉及消費級、數據中心。 根據規劃，英特爾將在未來幾年內，逐步將NAND快閃記憶體、SSD固態盤的設計、製造、運營轉移到SK海力士旗下，其推動NAND技術創新和對全球客戶的承諾不會改變。 當然，英特爾NAND快閃記憶體不會面面俱到，主要還是關注數據中心領域，兼顧消費級客戶端。 為了讓大家更深入地了解英特爾NAND快閃記憶體技術優勢，堅定對其前景的信心，英特爾近日也特別分享了一些深度資料。 這張「金字塔」結構圖大家應該都很熟悉了，代表著英特爾對於存儲體系的理解，從塔尖到塔底，容量越來越大，延遲越來越高，相鄰級別的容量、性能差都在10倍左右，適合不同冷熱等級的存儲需求。 其中，NAND SSD固態存儲，位於傳統機械硬碟、磁帶冷存儲之上，傲騰SSD之下，是一種高效率的存儲方式。 順帶一提，英特爾傲騰業務並沒有出售。 作為快閃記憶體技術的領導者，英特爾在快閃記憶體技術研發上已有30多年的歷史，尤其是近幾年在QLC上持續發力，是全球第一家出貨數據中心、消費級QLC PCIe SSD的企業。 20世紀80年代中期，英特爾就開始進軍NOR快閃記憶體，最初的製造工藝還是1.5微米，2005年開始轉入應用更廣泛的NAND快閃記憶體，製造工藝起步於65nm，2D時代如今已達1xnm級別，SLC、MLC、TLC、QLC一路走下來，堆疊層數也從32層一直到了144層。 QLC之後就是PLC，每個單元可以保存5個比特的數據，共有多達32種狀態，如何保持數據穩定性、持久性面臨更大的挑戰。在這方面英特爾一直是非常積極的，極為看好其前景，但何時量產應用還沒有明確的時間表。 英特爾3D NAND技術與產品是為高密度、高可靠性而設計的，其中高密度來自不斷增加的3D堆疊層數和陣列下CMOS(CuA)結構設計，高可靠性來自於浮柵單元設計。 先說高密度。英特爾快閃記憶體一直走浮動柵極+陣列下CMOS結構的路線，相比於友商的替換柵極結構，或者說電荷擷取快閃記憶體結構(CTF)，擁有更緊密、對稱的堆棧層，沒有額外單元開銷。 從對比結構圖可以看到，英特爾浮動柵極的Cell單元是均衡的，基本保持一致，更加緊湊，同時單元尺寸也更小，可以堆疊更多層數，而替換柵極會浪費一些空間，影響Cell單元的堆疊效率、密度。 陣列下CMOS，顧名思義就是將CMOS和周邊控制電路放在Cell單元陣列的下方，同樣有利於提高空間利用效率，當然堆疊層數增多之後，CMOS、Cell之間的聯系控制難度也會有所提高。 兩項設計結合，英特爾3D NAND的面存儲密度可以高出最多10％，繼而提高製造效率，每塊晶圓可以切割出更多容量，成本也能得到更好控制。 再說高可靠性。英特爾3D NAND快閃記憶體採用了成熟的垂直浮動柵極單元技術。不同的Cell單元之間是分離的，通過浮動柵極技術存儲電子路徑，好處就是單元與單元的干擾很小，對於漏電、數據保持也更有優勢。 每個單元的電子數量，相比2015年的2D MLC NAND增加了6倍左右，從而大大提高控制力，而龐大的電子數量可以更好地防禦漏電，減輕長時間後的數據丟失問題。 同時，英特爾利用離散電荷存儲節點，具備良好的編程/擦除閾值電壓窗口，可以有效保障存儲單元之間穩定的電荷隔離，以及完整的數據保留。 另外，英特爾幾十年來對於電子物理學有著深厚的研究和積累，已經非常熟練地掌握隧道氧化層工藝。 英特爾強調，半導體工藝中，最復雜的一環其實是刻蝕，因為對著快閃記憶體單元堆疊層數的增加、電子數量的增加，多層刻蝕就像挖一口深井，必須確保垂直下去，所有單元的一致性相當高，否則會造成不同單元性能差別明顯，整體快閃記憶體的密度、可靠性也就不復存在。 打個比方，這種操作就像是在艾菲爾鐵塔上扔下一顆實心球，落地後的偏差程度必須保持在厘米級，目前只有極少幾家可以做到。 SLC、MLC、TLC、QLC等快閃記憶體類型大家都很熟悉了，分別對應一個單元1個、2個、3個、4個比特，會分別形成2種、4種、8種、16種狀態，呈指數級增長。 這種變化會影響一個非常關鍵的指標，那就是讀取窗口，而隨著快閃記憶體單元比特、狀態的增加，讀取窗口越來越小，導致讀取准確性難度加大，一不小心就會分不清到底是1還是0，結果就反應在可靠性上。 看右側，在數據保留性能方面，對比FG浮動柵極、CTF電荷捕獲兩種結構，前者優勢更加明顯，從開始狀態到使用5年之後，電荷損失程度都更小，甚至是5年之後的電荷保留程度，都堪比CTF的最初狀態。 接下來的PLC快閃記憶體，每個單元要存儲5個比特，對應多達32狀態，讀取窗口進一步收窄，因此電荷損失的控制力度就更加至關重要，這也是英特爾快閃記憶體架構的優勢所在。 當然，時至今日很多人依然對QLC有很大的偏見，認為其壽命、可靠性過差，根本不堪大用。這個問題需要理性看待，就像當年大家都瞧不起TLC，現在則成了絕對主流。 由於天然屬性的緣故，QLC的壽命、可靠性指標確實是不如TLC，但這並不意味著它一無是處。 事實上，QLC並非要徹底取代TLC，至少短期內不是，它更適合讀取密集型應用，適合大區塊數據、順序數據操作，比如AI人工智慧、HPC高性能計算、雲存儲、大數據等等。 而在寫入密集型、讀寫混合型工作負載中，TLC自然是更佳選擇，二者是一種相輔相成的關系。 另一方面，QLC快閃記憶體的存儲密度、容量更大，可以大大節省存儲空間，比如使用英特爾QLC快閃記憶體、30.72TB最大容量的D5-P5316 SSD，在1U伺服器內就可以輕松做到1PB的總容量，而如果使用傳統16TB硬碟，則需要三個2U機架空間。 在全力推進QLC的同時，英特爾也會持續堅持TLC，第三季度就會發布新的144層堆疊TLC SSD，企業級的D3-S4520、D3-S4620。 總的來說，英特爾雖然將NAND快閃記憶體業務賣給了SK海力士，但這只是交易層面的，不會影響技術、產品層面。 未來，新公司承諾將持續在NAND快閃記憶體業務上大力投入，保持領先地位，其快閃記憶體產品的用戶、客戶也不必有任何憂慮。這一點，從近半年來不斷分享快閃記憶體技術、持續發布快閃記憶體產品，也可見一斑。 基於英特爾30多年來在快閃記憶體上的投入和積累，同時聯合SK海力士高超的快閃記憶體技術實力，強強聯合的前景也更值得期待。 至於快閃記憶體類型之爭，其實也可以更淡然一些。SLC早已成為江湖傳說，MLC只偏安在工業等特殊領域存在，TLC是當下絕對的主流，QLC的地位會越來越高，PLC也是呼之欲出。 結構屬性決定了快閃記憶體類型演化的同時，可靠性、壽命會有相對削弱，但一方面容量越來越大、單位成本越來越低，這是必然的方向，另一方面輔以各種架構、技術優化，別說滿足日常消費級需求，用在數據中心里也不是什麼事(當然也要看具體的工作負載，非要讓QLC大規模隨機寫入自然是強人所難)。 來源：快科技

做為最早問世的快閃記憶體類型，SLC快閃記憶體在性能、可靠性上是最佳的，P/E擦寫次數在1萬到10萬次之間，遠超MLC、TLC、QLC快閃記憶體。 不過SLC快閃記憶體成本也是最高的，而且容量也不如其他的快閃記憶體類型，所以近年來應用市場越來越狹窄，主流市場已經銷聲匿跡，生產廠商也越來越少。 旺宏電子日前透露，該公司研發的19nm SLC快閃記憶體進展順利，良率極佳，新產品新應用已經進入驗證階段。 旺宏表示，他們的SLC快閃記憶體率先實現了在主晶片處理ECC的創新主張，已成為最佳品質及成本效率典範；19nm SLC NAND也取得 NAND 重要成本優勢，全面進入業界領先製程。 不過旺宏電子並沒有透露SLC快閃記憶體的具體規格及產品信息。 除了SLC快閃記憶體，旺宏也在研發3D快閃記憶體，48層堆棧的3D快閃記憶體已經完成研發，很快會量產，後續則會沖刺192層3D快閃記憶體。 來源：遊民星空

做為最早問世的快閃記憶體類型，SLC快閃記憶體在性能、可靠性上是最佳的，P/E擦寫次數在1萬到10萬次之間，遠超MLC、TLC、QLC快閃記憶體。 不過SLC快閃記憶體成本也是最高的，而且容量也不如其他的快閃記憶體類型，所以近年來應用市場越來越狹窄，主流市場已經銷聲匿跡，生產廠商也越來越少。 旺宏電子日前透露，該公司研發的19nm SLC快閃記憶體進展順利，良率極佳，新產品新應用已經進入驗證階段。 旺宏表示，他們的SLC快閃記憶體率先實現了在主晶片處理ECC的創新主張，已成為最佳品質及成本效率典範；19nm SLC NAND也取得 NAND 重要成本優勢，全面進入業界領先製程。 不過旺宏電子並沒有透露SLC快閃記憶體的具體規格及產品信息。 除了SLC快閃記憶體，旺宏也在研發3D快閃記憶體，48層堆棧的3D快閃記憶體已經完成研發，很快會量產，後續則會沖刺192層3D快閃記憶體。 來源：快科技

最近Chia硬碟礦很火，而且5月初就要上市交易了，所以吸引了大量礦工淘金，畢竟都想做下一個比特幣。 Chia挖礦不需要高性能處理器和顯卡，但是對硬碟要求很高，既需要大容量機械盤，也需要高性能SSD硬碟，前幾天就把8TB以上的機械盤炒火了，價格翻了2-3倍，然後又迅速崩盤，不少人被套牢。 在SSD這邊，如果想玩硬碟礦，1TB以上的大容量、高性能SSD也是少不了的，所以最近大容量SSD賣的也很火爆。 威剛董事長陳立白日前透露，由於Chia挖礦熱潮來襲，該公司的大容量SSD訂單量暴增，4月份的訂單比3月份暴增4-5倍，他們已經積極備料，准備迎接Chia硬碟礦帶來的高需求。 不過威剛沒有公布具體是哪些容量的SSD硬碟需求大漲，估計應該是TB及以上級別的。 大容量SSD硬碟如果銷量大漲，那麼對快閃記憶體市場也是個利好，廣發證券日前發表報告稱看好快閃記憶體價格上漲。 廣發表示，近期區塊鏈市場的加密貨幣Chia（未上市交易）引起虛擬貨幣市場的較高關注，不同於比特幣、以太幣等靠的是礦機、顯卡挖礦，Chia需使用較大容量的存儲空間進行挖礦。 廣發認為，Chia的升溫或將助推存儲器尤其是大容量快閃記憶體價格的上漲，SSD相關上下游產業鏈如Flash/HDD製造廠商、主控晶片、SSD模組等有望直接受益。 來源：快科技

4月20日消息，據媒體報導，3月份曾有產業鏈人士透露，雖然NAND快閃記憶體仍是供過於求，但由於控制晶片嚴重短缺，將導致固態硬碟的價格上漲，NAND快閃記憶體的合約價格在二季度將因此而趨於穩定，並開始上漲。 而在最新的報導中，媒體稱NAND快閃記憶體控制器的供應依舊緊張。 媒體是援引產業鏈消息人士的透露，報導NAND快閃記憶體控制器供應緊張的。這一產業鏈的消息人士還透露，NAND快閃記憶體控制器的供應依舊緊張，可能會影響內嵌存儲設備和固態硬碟的出貨。 從供求關系來看，如果NAND快閃記憶體控制器真如產業鏈消息人士透露的那樣供應依舊緊張，影響到了內嵌存儲設備和固態硬碟的出貨，最終可能還會影響相關產品的價格。 來源：快科技

現在SSD的價格已經跌到一個比較低的位置了，但這個走勢可能還會繼續一段時間，畢竟NAND的供貨商比DRAM要多不少，根據TrendForce集邦咨詢的研究指出，2021年第一季度三星、長江存儲、SK海力士和Intel依然對位元出貨都比較積極，NAND快閃記憶體依然會供過於求，位元產出季增幅6%，預計價格會比本季度跌10%到15%。 預計2021年NAND快閃記憶體各種產品總需求位元中消費級SSD會占了31%，企業級SSD占20%，UFS與eMMC占了41%，NAND晶圓占了8%。 消費級SSD與PC記憶體的供求態勢差不多，明年第一季度是需求淡季，所以PC生產量會減少，但目前消費級SSD的庫存比較高，所以價格依然會繼續下滑，而且隨著QLC快閃記憶體逐步進入市場，快閃記憶體也逐步向密度更高的128層堆疊3D NAND過度，供過於求的現象很難短期改變，預計消費級SSD明年第一季度會售價會下跌10%到15%。 企業級SSD的走勢也差不多，明年第一季度也是淡季，數據中心買方依然持續去庫存化，加上Intel的Ice Lake-SP在第一季度不會大量出貨的情況下，企業級SSD的訂單量會進一步減少，但各家的PCI-E 4.0 SSD已經在加緊測試，並且有更多的供應商會進入企業級SSD的供應鏈，價格競爭會日益激烈，預計跌幅也是10%到15% 而手機市場各個品牌都在積極備貨，而且Chromebook的訂單也很旺盛，所以eMMC和UFS的市場需求很旺盛，雖然NAND的整體情況還是供過於求，但eMMC與UFS的跌幅會比其他產品要少，大概在5%到10%之間。 存儲卡和UFD等消費級存儲設備由於第一季度沒有節慶需求和電商促銷，加速傳統淡季和疫情沖擊，需求其實很低，這方面NAND晶圓也是供過於求，而且供應商還在向市場倒貨，把更高堆疊層數的NAND快閃記憶體晶圓推向市場，所以NAND晶圓的價格會在第一季度下跌近15%。 ...

雖然說目前SSD的價格依然維持在低位，不過NAND快閃記憶體的售價其實已經在悄然上漲，根據TrendForce的調研顯示，今年第二季度由於疫情的關系，遠程與雲端服務需求劇增，PC與伺服器的出貨量也在上漲，這帶動了SSD的需求量，但手機與消費電子市場尚未在疫情沖擊中恢復過來，需求依然較上季度有所下降。 整體來說，今年第二季度NAND快閃記憶體的位元出貨量與平均銷售單價比上季度上漲了3%，NAND快閃記憶體產業營收達到了145億美元，環比增長6.5%。 展望第三季度，雖然說Chromebook在教育市場有大規模的招標，蘋果會有新手機，新的遊戲主機也會上市，但伺服器與數據中心客戶會一去半成品庫存為主，從而降低采購動力，PC OEM的庫存也很充足，對後面的市場預測也偏向保守。此外長江存儲的產品逐漸流向市場，會迫使現在的廠商積極擴張產能與提升產品規格，預計第三季度各種產品的合約價會下跌，而總產值會和本季度持平。 接下來看看各個廠商，三星本季度出貨量較上季度下跌3%，而銷售單價上升了5%，總體營收45.42億美元，基本和第一季度持平。鎧俠的出貨量較第一季度下跌了4%，而銷售單價有小幅上漲，整體營收24.88億美元，環比減少3.1%。西數本季度出貨量增加了8%，而銷售單價增幅約1%，營收22.38億美元，環比上漲8.6%。SK海力士在第二季度的出貨量增長了5%，銷售單價也增加了8%，快閃記憶體業務營收16.94億美元，比上季度增長17%。美光的出貨量季度增長7%，單價也上漲了3%，整體營收16.65億美元，環比上漲10%。Intel本季度NAND快閃記憶體出貨量增長了25%，營收達16.59億美元，環比增長24%。 ...

雖然疫情對各行各業都有影響，但2020年第一季度NAND快閃記憶體的位元出貨量和上一季度相比是持平的，而且因為數據中心的需求大增導致平均售價上漲，整體行業營收比上一季度還增長了8.3%，達到136億美元。 根據DRAMeXchange的市場調查，數據中心對SSD的需求從去年第四季度就開始增長，第一季度企業級SSD依然是供不應求的狀況，另外各個供應商過多的庫存已經清理得差不多，庫存已經恢復到正常水平，所以快閃記憶體合約價也逐漸上漲。新冠疫情雖然對消費級的電腦和智慧型手機有一定影響，而且他們的生產廠也因疫情而停工，零件供應鏈與物流鏈也受到不少影響，但三月之後已經陸續恢復生產。 而隨之現在全球有不少人因為疫情關系在遠程辦公、教學，所以對筆記本電腦或平板電腦的需求大幅增加，而且有不少部分是企業或政府采購的，需求量相當大，而遠程服務和視頻串流等服務對雲伺服器與數據中心有所需求，所以企業級SSD的需求依舊強勁。 預計第二季度由於整體設備需求強勁，NAND快閃記憶體也會因為市場需求增長而出現供不應求的狀況，所以合約價會維持上漲，而廠家的營收會繼續增長，換言而知，SSD可能會漲價。 具體到各個廠家的情況，三星本季度市場占有率稍微有所下降，而營收基本和上季持平；鎧俠的市場占有率有輕微上漲，而營收上漲了9.7%；西數市場占有率也輕微上漲，營收上漲了12.1%；美光市場占有率基本持平，營收上漲了6.5%；SK海力士的市場占有率上漲了一個點，而營收大幅增加了19.8%；Intel的市場占有率基本持平，而營收則增長了9.9%。 ...

大家應該都能感受得到現在SSD的售價已經以相當緩慢的幅度漲了一段時間了，這股上漲趨勢會持續到今年第二季度，雖然現在受到新冠病毒的影響各種終端產品銷售疲軟，但上游NAND快閃記憶體生產廠把今年全年的快閃記憶體產量增長預測下調至30%，而且OEM客戶擔心病毒會影響快閃記憶體的生產所以加大了庫存，今年第一季度NAND快閃記憶體均價依然會上漲5%。 到了第二季度，企業級SSD需求強勁，北美和中國市場數據中心的買方相當活躍，使得企業級SSD會成為所有快閃記憶體產品中缺貨最為明顯的，企業級SSD會在所有NAND快閃記憶體產品中出貨比重持續上升，而且他們的單價較高，所以會帶動第二季度整體快閃記憶體價格上漲至少5%，而且這也會影響到消費級SSD、eMMC和UFS的售價上漲。 但DRAMeXchange指出，現在由於疫情爆發，市場的動態發生了很大的變化，消費級產品的需求疲軟，一些品牌的SSD產品價格已經開始下降，其他快閃記憶體產品的價格也僅略有增長，目前因為供不應求NAND快閃記憶體晶片價格會繼續上漲，但這增長趨勢很難持續到第三季，今年下半年快閃記憶體市場就會有所轉變，這波漲勢最早會在第三季停止，並且會快閃記憶體的價格會轉向疲軟，再一次進入下跌周期。 ...

iQOO手機官方今日發布動態表示，「UFS 3.1用起來真快，二月見哦！」言下之意應該是iQOO已經打造出了一款使用UFS 3.1快閃記憶體的智慧型手機產品，並且新產品將會在本月晚些時候發布。本月已經確定將發布的機型有三星S20系列、小米10系列，三星S20的快閃記憶體規格尚有待確定，但是小米10系列機型已經宣布會使用「新一代UFS 3.0」，因此，iQOO有可能是首發UFS 3.1快閃記憶體的手機廠商了。 根據此前的消息，UFS 3.1（JESD220E）標準在UFS 3.0（JESD220D）基礎上新增了以下三個功能： Write Booster：就是SSD上常見的SLC Cache，可以顯著提升寫入速度； DeepSleep：深度睡眠這個很好理解，就是可以讓UFS設備進入一個低功耗狀態，降低設備功耗； Performance Throttling Notification：性能限制通知，由於高溫到時存儲設備性能受限時，UFS設備可以告知系統。 總結起來就是寫入速度更快、功耗更低以及更加智能。 另外還有一個可選的JESD220-3協議，是Host Performance Booster（HPB）功能，讓UFS的主控可以把映射表緩存在設備的DRAM記憶體中，大容量的UFS設備需要很大的容量放映射表，把映射表放到記憶體里面可以顯著提升尋址性能，這功能在無緩存的SSD上相當常見，不失為一個節約成本的解決方法。 ...

最近三星位於韓國華城市的晶片工廠經歷了一次大概1分鍾左右的停電，引發了不少網友對於快閃記憶體記憶體漲價的討論。快閃記憶體記憶體的價格浮動說到底還是供給和需求決定的，而其實在經歷了之前長達7個季度的連續下跌之後，存儲晶片的整體價格趨勢已經不可抑制的在慢慢回升了。 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查，由於Client SSD合約價自高點連跌七季，與傳統硬碟的成本差距已經不遠，在2019年第二季起刺激筆記本電腦搭載SSD的比重及容量顯著上升。而六月中旬後，鎧俠/西數四日市廠區發生跳電問題導致供給量下降，帶動eMMC/UFS、SSD成交價格在第三季中止跌，Wafer市場則迅速反彈，第三季上漲近20%，eMMC/UFS及SSD合約價也在第四季翻漲。從客戶端需求來看，盡管2019年第四季合約價上漲，導致Client SSD位元需求趨緩，但數據中心客戶積極准備2020年新開案需求，拉貨動能優於預期，使得第四季的Enterprise SSD已浮現供不應求的情形，預期2020年第一季合約價將有所支撐。除了數據中心客戶積極備貨帶動需求，移動設備端也因准備蘋果2020年上半年的新機上市，備貨需求從第四季起涌現。總體而言，2020年第一季NAND Flash將呈現淡季不淡。而在供給面，由於供應商自2019年第二季起已處於盈虧平衡，或甚而呈現虧損，不得不調降2020年的資本支出，產能擴張與3D層數提升的時程都較以往保守。統計各廠規劃，2020年位元產出增長僅略高於30%，是歷年來規劃目標的低點，加上2019年的供給位元已因跳電事件而下調，連續兩年的產出增長都不到35%，是第一次出現的景象，也使得2020年全年供需更顯緊張。在合約價走勢方面，集邦咨詢認為，基於淡季需求表現不淡、供給增長保守以及供應商庫存已下降，各類產品合約價在2020年第一季均可望持續上漲。按產品類別來看，Client及Enterprise SSD的供需缺口較eMMC/UFS顯著，將使SSD產品漲價幅度高於嵌入式產品。展望第二季，受惠於下半年的智慧型手機以及遊戲主機等新產品的生產備貨，以及准備進入傳統旺季，預期漲價態勢得已延續。而在渠道市場的Wafer合約價，由於毛利較低，供應商在主要產品需求熱絡的情況下，規劃在第一季減少對Wafer市場的出貨比重，以優先滿足接踵而來的SSD需求。在供應商庫存水位健康的狀況之下，預期模組廠議價空間有限，2019年12月底時價格已上漲逾10%，預期第一季漲幅可望延續超過10%水平。 ...

相信大部分人對於三星工廠因停電而暫停生產已經見慣不怪了。就在最近，三星位於韓國華城市的晶片工廠就經歷了一次大概1分鍾左右的停電。 圖片來源：韓國聯合通訊社 這次的停電是由於工廠附近一個變壓站有電線爆炸，導致整個分區的電力都被中斷而引起。停電後，工廠內的DRAM及NAND快閃記憶體需要停產。三星表示，目前正在檢查這次停電對於生產線是否造成任何影響。該公司同時表示，重啟生產最快需要兩到三天的時間。 目前尚不知道這次停電對造成的損失有多大，三星表示仍然在統計當中。不過，據韓國聯合通訊社報導，2018年三星的平澤晶片廠斷電半小時，所造成的損失約為500億韓元（4332萬美元）。而路透社指，一位直接了解這次事件的消息人士認為，這次的停電可能會造成數百萬美元的損失，但強調並沒有造成重大損失。目前可以肯定的是，所有停電時在生產在線的晶圓都要報廢，因為即便是極短暫的停電都會讓它們失效。 至於這次停電對於記憶體和NAND快閃記憶體會造成多大影響，目前三星的晶片庫存非常多，這次停電對於三星清庫存很有利。而對於市埸而言，這可能會是另外一個記憶體和快閃記憶體漲價的藉口。 ...

對於剛發布不久的小米CC9 Pro手機，消費者的爭議還是比較大的。其中，有一個觀點認為，小米CC9 Pro手機相較於紅米K20手機，就是升級了相機模組；也有一種觀點認為，小米CC9 Pro手機為了用上一億像素攝像頭，把能砍的硬體都砍了來控製成本。那麼，小米CC9 Pro手機內部除了那顆一億像素的主攝像頭之外，通過官方拆解來看看這款手機內部的其他零部件吧。 拆開後蓋之後，可以看到內部左側大量空間都留給了五攝鏡頭模組，邊框側鍵開槽部分增加了支架保護，電池上方堆疊了NFC線圈和導熱石墨。 主板和電池呈左右布局，副板位於機身內部右上方，通過FPC同主板相連。右下方是等效1cc的超大體積音腔，右側5260mAh大容量電池。 五攝鏡頭模組，鏡頭蓋板上集成了雷射對焦模組，通過FPC同主板相連。 全新一代的超薄屏下光學指紋模組。電池上增加了Battery Sense電芯監測迴路，能夠精準監測電芯的電壓，規避了電池保護電路阻抗帶來的誤差，提高充電效率的同時也更加安全。 全新一代的超薄屏下光學指紋模組，厚度約0.3mm。 五攝鏡頭模組。1億像素超清鏡頭是小米聯合三星定製的HMX，支持光學防抖，支持像素4合1技術。 主板採用「L」型的異形主板，正面以射頻晶片和電源管理晶片為主，背面排布高通730G SoC和記憶體快閃記憶體堆疊。小米CC9 Pro支持多功能NFC，採用SN 100T晶片，還有全新的電荷泵充電管理晶片。 全家福 ...

美光去年開始就擴建他們在新加坡的Fab 10工廠，擴展旨在進行新的3D NAND工藝節點轉換，並且保持和現在一樣的晶圓產量，上周他們舉辦了Fab 10 Expansion的開幕儀式，新建的無塵工作時能夠生產更多堆疊層數，存儲密度更大的快閃記憶體。 美光Fab 10 Expansion是由原來的Fab 10N和Fab 10X所組成的，根據官方的數據，廠房占地面積165000平方米，不過美光並們沒有透露無塵廠房面積，以及有沒有擴建別的東西。現在新廠房正在進行設備安裝，預計今年內心的廠房就可以生產96層堆疊的3D NAND，他們只要求產能與現在一樣，符合市場對快閃記憶體的需求就可以了，並不會增加產能。 隨著3D NAND堆疊層數的增加，每個晶圓必須在化學氣相沉積機器中花費更多的時間，這意味著蝕刻它們需要更多的時間，這意味著如果想新工藝的快閃記憶體維持和現有一樣的產量就必須在無塵廠房中配備更多多的CVD和蝕刻機，所以美光需要擴建廠房來維持快閃記憶體產量，當然了快閃記憶體晶圓的產量雖然沒變，但是生產出來的快閃記憶體容量就要大得多了。 除了擴建新的廠房外，美光還擴大了他們在新加坡的研發業務，他們的NAND Center of Excellence將進行技術開發與產品工程，希望以此提高Fab 10的產量和生產效率。 ...