近年來，ASML站到了世界半導體技術的中心位置。目前ASML有序地執行其路線圖，在EUV之後是High-NA EUV技術，ASML正在為客戶交付首台High-NA EUV光刻機做准備，預計會在未來幾個月內交付。
數周前，三星電子會長前往荷蘭，與ASML討論了幾項半導體業務。據Sammobile報導，三星已在上周與ASML簽署了一項價值1萬億韓元（約合7.7億美元/人民幣54.9億元）的協議，雙方將在韓國京畿道東灘投資建設半導體晶片研究設施，並在那里共同努力改進EUV光刻製造技術。
這次三星獲得了High-NA EUV光刻設備技術的優先權，有助於確保購入下一代High-NA EUV光刻設備，為其DRAM存儲晶片和邏輯晶片的生產創造出優化High-NA EUV技術使用的機會。除了確保2nm晶片製造設備進入韓國，三星更看重的是與ASML建立的合作夥伴關系，以便更好地利用下一代光刻設備。
High-NA EUV系統將提供0.55數值孔徑，與此前配備0.33數值孔徑透鏡的EUV系統相比，精度會有所提高，可以實現更高解析度的圖案化，以實現更小的電晶體特徵，同時每小時能生產超過200片晶圓。此前英特爾已宣布購買業界首個TWINSCAN EXE:5200系統，計劃從2025年使用High-NA EUV進行生產。
據了解，ASML計劃明年生產10台High-NA EUV系統，其中英特爾已購入了6台。有消息稱，台積電計劃在2024年引入High-NA EUV系統，為2025年末2nm工藝進入大批量生產做好准備。ASML打算未來幾年內，將High-NA EUV系統的年產量提升至20台。
來源：超能網
