2022年初，ASML宣布與英特爾的長期合作進入了新的階段，雙方將攜手推進半導體光刻前沿技術。英特爾也向ASML發出了購買業界首個TWINSCAN EXE:5200系統的訂單，這是具有高數值孔徑（High-NA）和每小時生產超過200片晶圓的極紫外光（EUV）大批量生產系統，為雙方長期的High-NA EUV技術合作搭建框架。
據TomsHardware報導，ASML已向英特爾交付業界首台High-NA EUV光刻機。本周開始，新設備將從荷蘭的費爾德霍芬運送到美國俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾半導體技術研發基地，並在未來幾個月內完成安裝。High-NA EUV光刻機的體積非常巨大，需要使用13個貨櫃和250個板條箱來進行運輸。據了解，每台High-NA EUV光刻機的成本約在3到4億美元。
英特爾在2018年向ASML購入了TWINSCAN EXE:5000系統，可以作為試驗機，更好地了解High-NA EUV設備的使用，獲得寶貴經驗。Intel 18A工藝計劃在2025年量產，英特爾將會引入High-NA EUV光刻技術，這將領先於競爭對手台積電（TSMC）和三星。High-NA EUV光刻機將提供0.55數值孔徑，與此前配備0.33數值孔徑透鏡的EUV系統相比，精度會有所提高，可以實現更高解析度的圖案化，以實現更小的電晶體特徵。
由於新一代光刻設備與舊款產品之間有許多不同之處，需要進行大量的基礎設施改造，提前部署可能會讓英特爾獲得競爭優勢。一方面能有更多的技術調整時間，另一方面有更充裕的時間進行基礎設施改造，以更好地適配High-NA EUV光刻機使用。
來源：超能網
